2019 Fiscal Year Comments on the Screening Results
Si-Ge系スーパーアトムの内部ポテンシャル変調による量子機能材料創成
| Project/Area Number |
19H00762
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大田 晃生 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (10553620)
洗平 昌晃 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (20537427)
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| Project Period (FY) |
2019-04-01 – 2023-03-31
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| Outline of Opinions Expressed in the Review Results |
SiO２で覆われたGe核を有するSiドットであるGeコアSi量子ドットにおいて、電子及び正孔の波動関数制御技術を確立し、均質ナノドットにない固有の物性・機能を実現することを目的とした研究である。さらに、金属コアSi量子ドットを創造し新規なナノ材料や高機能デバイスを開発することも目的としている。
Si-Ge系量子ドットと異種材料系から構成されるナノ構造界面を有する量子井戸に閉じ込められた電子・正孔の波動巻子を制御することによりナノサイズのデバイス物理の再構築がなされる。さらに、ナノ構造の表面・界面の制御により性能や機能が革新的に進化した次世代ナノ電子デバイスの実現が可能となる。
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