2008 Fiscal Year Annual Research Report
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20310095
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
NIRAULA Madan Nagoya Institute of Technology, 工学研究科, 准教授 (20345945)
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| Keywords | テルル化カドミウム / 放射線検出器 / 電極形成技術 / ヘテロ接合ダイオード / アニール効果 |
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| Research Abstract |
有機金属気相成長法によりSi基板上に成長した厚膜単結晶CdTe成長層を用いて作製したp-CdTe/n-CdTe/n^+-Siヘテロ接合ダイオード型検出器の性能を向上のために以下の項目について検討を行った。
CdTe検出器用電極形成方法の検討
電極用金属材料のCdTe結晶内への拡散原因で検出特性の劣化を防ぐために拡散防止できる金属による電極作製方法の検討を行った。そのために、本年度購入した主要設備である電子ビーム蒸着装置を設置し、検出器用電極材料である金及び白金の蒸着条件及び蒸着膜の制御条件を確立した。
CdTe層成長条件の最適化
Si基板とCdTe層の格子不整合及び熱膨張係数差によって、CdTe成長層中には高密度の転位や結晶歪を生ずる。これらの結晶欠陥は深い順位を形成し、検出器の特性劣化の原因となる。結晶欠陥の影響を防ぐためには成長条件の最適化を検討した。Si基板の成長前処理方法の改善を行い、さらに低温でCdTe初期成長層を成長後、通常成長温度(600℃)よりも高温に昇温し、その後常温まで降温するアニール効果の検討を行った。その結果は従来よりも高品質の単結晶CdTe厚膜層が得られることが確認できた。現在、上記の条件で検出素子を作成し、検出特性を検討している。
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