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2010 Fiscal Year Annual Research Report

大気開放プラズマを用いた無歪高能率ナノ精度形状創成プロセスの開発

Research Project

Project/Area Number 20360068
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

山村 和也  大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (60240074)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 是津 信行  大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10432519)
Keywords大気圧プラズマ / SiC / スクラッチフリー / ダメージフリー / 水蒸気プラズマ / OHラジカル / 研磨
Research Abstract

4H-SiC(0001)基板に対してヘリウムベースの水蒸気プラズマを照射するとともに、アルミナおよび酸化セリウム砥粒を用いたプラズマ援用研磨実験を行った。XPS測定の結果、水蒸気プラズマの照射により表面が酸化され、酸化膜とSiCの界面にはSi-C-Oの遷移層が存在することが分かった。プラズマ援用研磨においてアルミナ砥粒を用いた場合には面内方向にうねりを有するステップテラス構造が観察されたのに対し、セリア砥粒を用いた場合にはうねりのない理想的なステップテラス構造が得られた。硬度が高いアルミナ砥粒の場合には、ランダムな運動によってSiC界面の遷移層が除去され、遷移層が除去された部分は酸化が進行するためにうねりを有するステップテラス構造が形成されたと考えられる。軟質の酸化セリウムを用いた場合は、界面層が除去されずに常にSiC上に残留しながら除去加工が進行するため、基板の結晶性ならびに結晶方位の傾きに依存する理想的なステップテラス構造が形成されたと推測される。また、酸化セリウム砥粒を用いた反応焼結SiC基板のプラズマ援用加工においては、ダイヤモンド砥粒を用いた通常の研磨と比較して加工面に形成されるスクラッチの密度とその深さとを大幅に減少することができ、金型作製における高品位仕上げ法としての有用性を示せた。
今後、プラズマ援用研磨における除去メカニズムを解明するとともに、プラズマ照射条件ならびに砥粒の材質と運動方法等の最適化により研磨レートの向上を図る。

  • Research Products

    (18 results)

All 2011 2010

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (15 results)

  • [Journal Article] Fabrication of Damage-free Curved Silicon Crystal Substrate for a Focusing X-ray Spectrometer by Plasma Chemical Vaporization Machining2010

    • Author(s)
      M.Hosoda, et al.
    • Journal Title

      Key Engineering Materials

      Volume: 447-448 Pages: 213-217

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Effect of Substrate Heating in Thickness Correction of Quartz Crystal Wafer by Plasma Chemical Vaporization Machining2010

    • Author(s)
      M.Ueda, et al.
    • Journal Title

      Key Engineering Materials

      Volume: 447-448 Pages: 218-222

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] High-integrity finishing of 4H-SiC (0001) by plasma-assisted polishing2010

    • Author(s)
      K.Yamamura, et al.
    • Journal Title

      Advanced Materials Research

      Volume: 126-128 Pages: 423-428

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 数値制御プラズマCVMによるヨハンソン型Si(111)二重湾曲分光結晶のダメージフリー加工(第4報)-表面粗さの生成要因に関する検討-2011

    • Author(s)
      細田真央
    • Organizer
      2011年度精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      東洋大学(東京)
    • Year and Date
      2011-03-14
  • [Presentation] Finishing of reaction sintered SiC by plasma assisted polishing-Analysis of chemical and morphological structure of processed surface-2011

    • Author(s)
      Hui Deng
    • Organizer
      2011年度精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      東洋大学(東京)
    • Year and Date
      2011-03-14
  • [Presentation] Plasma assisted finishing of difficult-to-machine materials2010

    • Author(s)
      山村和也
    • Organizer
      2nd International Conference on Nanomanufacturing (nanoMan2010)
    • Place of Presentation
      Tianjin, China
    • Year and Date
      20100924-20100926
  • [Presentation] High-integrity finishing of 4H-SiC (0001) by plasma-assisted polishing2010

    • Author(s)
      Kazuya Yamamura, Tatsuya Takiguchi, Masaki Ueda, Azusa N. Hattoril, Nobuyuki Zettsu
    • Organizer
      The 13th International Symposium on Advances in Abrasive Technology
    • Place of Presentation
      Taipei, Taiwan
    • Year and Date
      20100919-20100922
  • [Presentation] Fabrication of Damage-free Curved Silicon Crystal Substrate for a Focusing X-ray Spectrometer by Plasma Chemical Vaporization Machining2010

    • Author(s)
      Mao Hosoda, Kazuaki Ueda, Mikinori Nagano, Nobuyuki Zettsu, Shoichi Shimada, Kazuo Taniguchi, Kazuya Yamamura
    • Organizer
      International Conference on Precision Engineering (ICoPE2010&13th ICPE)
    • Place of Presentation
      Singapore
    • Year and Date
      20100728-20100730
  • [Presentation] Effect of Substrate Heating in Thickness Correction of Quartz Crystal Wafer by Plasma Chemical Vaporization Machining2010

    • Author(s)
      上田真己, 柴原正文, 是津信行, 山村和也
    • Organizer
      International Conference on Precision Engineering (ICoPE2010&13th ICPE)
    • Place of Presentation
      Singapore
    • Year and Date
      20100720-20100730
  • [Presentation] Machining Properties of Reaction-Sintered Silicon Carbide by Plasma Assisted Machining2010

    • Author(s)
      M.Ueda
    • Organizer
      Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      Osaka
    • Year and Date
      2010-11-24
  • [Presentation] Figuring of Damage-Free Cylindrical Silicon Crystal Substrate for a Focusing X-ray Spectrometer by Plasma Chemical Vaporization Machining2010

    • Author(s)
      M.Hosoda
    • Organizer
      Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      Osaka
    • Year and Date
      2010-11-24
  • [Presentation] Plasma Assisted Polishing of Reaction-Sintered Silicon Carbide2010

    • Author(s)
      K.Yamamura
    • Organizer
      25th Annual Meeting of the ASPE
    • Place of Presentation
      Atlanta, USA
    • Year and Date
      2010-11-03
  • [Presentation] Surface Modification by Water Vapor Plasma for Damage-free Roughness Smoothing of 4H-SiC2010

    • Author(s)
      K.Yamamura
    • Organizer
      63rd Gaseous Electronics Conference (GEC) and 7th International Conference on Reactive Plasmas(ICRP)
    • Place of Presentation
      Paris, France
    • Year and Date
      2010-10-05
  • [Presentation] 数値制御プラズマCVMによるヨハンソン型Si(111)二重湾曲分光結晶のダメージフリー加工(第3報)-形状創成加工後の表面粗さの低減-2010

    • Author(s)
      細田真央
    • Organizer
      2010年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋大学(名古屋)
    • Year and Date
      2010-09-28
  • [Presentation] プラズマ援用加工法の開発(第2報)-反応焼結SiC材の加工特性-2010

    • Author(s)
      上田真己
    • Organizer
      2010年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋大学(名古屋)
    • Year and Date
      2010-09-27
  • [Presentation] Development of Atmospheric-Pressure-Plasma-Assisted High-efficient and High-integrity Machining Process of Difficult-to-Machine Materials2010

    • Author(s)
      K.Yamamura
    • Organizer
      10th International Conference of the European Society for Precision Engineering and Nanotechnology
    • Place of Presentation
      Delft, Netherland
    • Year and Date
      2010-06-03
  • [Presentation] プラズマ援用加工法の開発(第1報)-基礎実験装置の試作と加工特性の評価-2010

    • Author(s)
      上田真己
    • Organizer
      精密工学会2010年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      京都大学(京都)
    • Year and Date
      2010-05-28
  • [Presentation] 数値制御プラズマCVMによるヨハンソン型Si(111)二重湾曲分光結晶のダメージフリー加工(第2報)2010

    • Author(s)
      細田真央
    • Organizer
      精密工学会2010年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      京都大学(京都)
    • Year and Date
      2010-05-28

URL: 

Published: 2012-07-19  

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