• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2008 Fiscal Year Annual Research Report

酸化物トランジスタの電界誘起金属相

Research Project

Project/Area Number 20840029
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

中村 浩之  Osaka University, 基礎工学研究科, 特任助教 (90506445)

Keywords酸化物 / トランジスタ / 酸化物エレクトロニクス / 弱局在 / 反局在 / スピントロニクス / FET
Research Abstract

酸化物表面に電界誘起の擬二次元電子状態を作製し、その物性を評価することが本研究の主目的である。今年度はペロブスカイト型酸化物であるKTa03からなるトランジスタを作製し、室温から2Kまでのトランジスタ動作をはじめて観測した。表面に誘起された電子相は低温で500cm2/Vs程度の移動度を示し、酸化物からなるトランジスタとしては非常に高移動度である。この新規の擬二次元電子相の磁気抵抗を調べたところ、弱磁場の領域で顕著な正の磁気抵抗を観測した。これは、磁気抵抗の大きさや形状などから、通常負の磁気抵抗を示す弱局在現象が、スピン軌道相互作用の効果でその符号を反転したものと考えられる。さらに、この正の磁気抵抗の大きさはゲート電界で制御できることが分かった。このことはスピン軌道相互作用がゲートで制御できることを示しており、KTa03はスピンを電場で制御するスピントロニクス材料としての可能性を持つことが分かった。

  • Research Products

    (1 results)

All 2009

All Presentation (1 results)

  • [Presentation] KTaO3の電界効果2009

    • Author(s)
      中村 浩之
    • Organizer
      日本物理学会
    • Place of Presentation
      立教大学
    • Year and Date
      2009-03-27

URL: 

Published: 2010-06-11   Modified: 2016-04-21  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi