2008 Fiscal Year Final Research Report
Development of advanced luminescent functionality by control of atomic configuration in rare-earth doped semiconductors
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20900123
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
TERAI Yoshikazu 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (90360049)
TONOUCHI Masayoshi 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 教授 (40207593)
ICHIDA Hideki 大阪大学, 先端科学イノベーションセンター, 助教 (50379129)
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| Project Period (FY) |
2008
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| Keywords | 秩序制御 / 高次発光機能 / 発光ダイナミクス / 局所構造 / 希土類元素 |
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| Outline of Final Research Achievements |
有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法によりEr,O共添加GaAs(GaAs : Er,O)を作製した。Er-2O発光強度の測定温度依存性において、低温域で発現する新奇な発光挙動を観測し、Cの関与したオージェ過程によることを明らかにした。また、エレクトロルミネッセンス(EL)測定において希土類添加半導体を母体として初めて電流注入下でGaAsバンド端レーザ発振を観測し、Er発光との関わりを明らかにした。さらに、980nm近傍に量子準位を有するInGaAs量子井戸をGaAs : Er,O光ガイド層へ埋め込んだ量子井戸レーザを作製し、Er発光強度の増大を観測した。GaAs : Er,Oのテラヘルツ(THz)波デバイスとしての新たな応用可能性についても検討した。
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| Free Research Field |
電子材料工学
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