シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成

2020 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 20H00252
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Hiroshima University
• Principal Investigator: Kuroki Shin-Ichiro 広島大学, ナノデバイス研究所, 教授 (70400281)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 田中 保宣 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 副研究センター長 (20357453) ; 児島 一聡 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (40371041) ; 大島 武 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター, センター長 (50354949) ; 武山 昭憲 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター, 主幹研究員 (50370424) ; 牧野 高紘 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター, 主幹研究員 (80549668)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2023-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

本研究は、高放射線や高温にさらされる極限環境において動作可能な集積回路の構築とその設計指針（パラメータ設計）を与えることを目的としている。シリコンカーバイド（SiC）半導体はバンドギャップが広いという特性と原子間結合が強いという性質から、高放射線・高温などの極限環境でも駆動可能なデバイスとして期待されている。
研究成果としては、開発したデバイスが福島第一原発の廃炉作業に用いる計測機器やロボットに組込まれることが期待される。社会的に意義のあるテーマ設定である。廃炉作業のための機器に用いられるだけでなく、幅広い極限環境下で使用可能な電子機器の作製に役立ち、社会での有用性が高いと言える。