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2010 Fiscal Year Annual Research Report

ウエーハ等価薄膜太陽電池の直接製造を可能とするメゾプラズマ次世代シーメンス法開発

Research Project

Project/Area Number 21226017
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

吉田 豊信  東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 神原 淳  東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (80359661)
Keywordsプラズマ加工 / 太陽電池 / エピタキシー / メゾプラズマ
Research Abstract

22年度では、40kW級高周波電源および整合器、新プラズマトーチ、並びに操作性を改善した新規反応容器からなるシステムを新たに導入した。典型的なエピタキシャル条件下では新反応容器においても、安定的に再現性高く高速エピタキシャル成長が確認された。RF入力22kWにおいては、過去においてTCSを原料としたエピタキシャル成長に関して報告されている100nm/secを越える、200m/sec(1.2μm/min)以上の堆積速度を達成すると共に,メゾプラズマの特徴である輸送律速的なエピタキシャル成長が確認された。これら薄膜の品質をホール効果測定により評価した結果,単結晶の報告値と比較すると、相対的に低速堆積速度である-40nm/secでは大凡100%、200nm/sec以上の堆積速度でも65%以上の品質を維持していることが確認された。また特筆すべきは、試験的に入力を24kWとした場合に,エピタキシャル堆積速度は500nm/sec(3μm/min)に達し、85%以上の材料収率を確認した事である。他方,高速エピタキシャル成長の重要な役割を担っていると考えられる成膜前駆体ナノクラスターの形成及び基板表面での挙動について,分子動力学によるシミュレーションを行った結果、Siの融点以下の温度領域で気体と固体の中間的な構造を有する状態が5~6nm以下ではサイズにかかわらず存在しうることが確認された。さらに,このクラスターの基板付着に際して、クラスター自身が基板と同じ結晶方位となるような自己構造化が進み,この機構が高速エピタキシャル成長の鍵であり、クラスターサイズの違いが、エビ/ポリ組織形成を決める重要な役割をになう特異な成膜機構が予測された。

  • Research Products

    (9 results)

All 2011 2010 Other

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (7 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Low temperature silicon epitaxy from trichlorosilane via mesoplasma chemical vapor deposition2011

    • Author(s)
      J.Fukuda,M.Kambara,and T.Yoshida
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 519 Pages: 6759-6762

    • URL

      http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.216

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] High rate and high yield silicon mesoplasma epitaxy2010

    • Author(s)
      M.Kambara
    • Organizer
      7th Plasma Frontier Research Meeting
    • Place of Presentation
      Kanazawa(Invited)
    • Year and Date
      2010-11-30
  • [Presentation] Innovative Plasma Spray Technology for advanced coatings2010

    • Author(s)
      T.Yoshida
    • Organizer
      35^<th> ICACC (International conference and exposition on advanced ceramics and composites)
    • Place of Presentation
      Daytona Beach (USA)(Invited)
    • Year and Date
      2010-11-27
  • [Presentation] Innovation of Plasma Spray Technology (Plenary)2010

    • Author(s)
      T.Yoshida
    • Organizer
      3^<rd> PLACIA & PLAM (Int.Symp.of Plasma Center for Industrial Appl., Plasma Appl Monodzukuri)
    • Place of Presentation
      Nagoya
    • Year and Date
      2010-11-17
  • [Presentation] Molecular dynamics simulation of Si nanoclusters in mesoplasma epitaxy2010

    • Author(s)
      L.W.Chen, Y.Shibuta, M.Kambara, T.Yoshida
    • Organizer
      第7回金属学会ヤングメタラジスト研究交流会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2010-11-11
  • [Presentation] High rate and high yield silicon deposition under mesoplasma condition for a next generation Siemens technology2010

    • Author(s)
      M.Kambara, J.Fukuda , S.Wu, L.W.Chen, T.Yoshida
    • Organizer
      GEC-ICRP2010 (Gaseous Electronics Conference)
    • Place of Presentation
      Paris (France)
    • Year and Date
      2010-11-04
  • [Presentation] Low temperature silicon epitaxy from trichlorosilane via mesoplasma themical vapor deposition2010

    • Author(s)
      J.Fukuda, M.Kambara, T.Yoshida
    • Organizer
      APCPST2010 (Asia-pacific conference on Plasma Science Technology)
    • Place of Presentation
      Busan (Korea)
    • Year and Date
      2010-07-04
  • [Presentation] High yield silicon deposition under mesoplasma condition for a next generation Siemens technology2010

    • Author(s)
      M.Kambara , T.Yoshida
    • Organizer
      SCSI (Silicon for the Chemical and Solar Industry
    • Place of Presentation
      Alesund (Norway)
    • Year and Date
      2010-06-28
  • [Remarks]

    • URL

      www.plasma.t.u-tokyo.ac.jp

URL: 

Published: 2012-07-19  

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