2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

シリコンスピントランジスタの高性能化とスピン演算機能の発展

Research Project

Project/Area Number	21H04561
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	Kyoto University
Principal Investigator	Shiraishi Masashi 京都大学, 工学研究科, 教授 (30397682)
Project Period (FY)	2021-04-05 – 2024-03-31
Summary of the Research Project	Siスピントランジスタにおいて、応用展開への本質的課題である、磁気抵抗比の低さとスピン演算機能の未成熟さを解決するという研究である。磁気抵抗比に関しては縦型素子の実現、スピン演算機能の未成熟さに関しては再構成可能な論理ゲートの構成を考案し、これを実現する。
Scientific Significance and Expected Research Achievements	本研究は応募者のこれまでの基礎研究を応用展開することを意識した提案である。本研究の課題設定に至る過程、研究ターゲットが明確であり、また研究計画が具体的に書かれており、Beyond CMOSという観点での大きな科学的、社会的インパクトが期待できる。