ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化

2021 Fiscal Year Abstract

• Project/Area Number: 21H05003
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Review Section: Broad Section C
• Research Institution: Kyoto University
• Principal Investigator: 木本 恒暢 京都大学, 工学研究科, 教授 (80225078)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 金子 光顕 京都大学, 工学研究科, 助教 (60842896) ; 田中 一 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (40853346)
• Project Period (FY): 2021-07-05 – 2026-03-31