2012 Fiscal Year Annual Research Report
新規な低エネルギー・低環境負荷型結晶性シリコン薄膜の形成および太陽電池への展開
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22651029
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| Research Institution | Kanagawa Institute of Technology |
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Principal Investigator |
本田 数博 神奈川工科大学, 工学部, 准教授 (40257415)
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| Project Period (FY) |
2010-04-01 – 2013-03-31
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| Keywords | 結晶性Ｓｉ / オクタン酸塩 / ｢Si(OH)４｣脱水重合体 / ラマン分光 / 結晶性Ｓｉ薄膜 |
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| Research Abstract |
｢Si(OH)4の脱水重合体とオクタン酸塩とが互いに織り込まれるようにして固化した固形物｣の大気雰囲気下における加熱処理による結晶性シリコンの形成機構について、150℃から500℃の加熱温度による逐次および加熱温度を固定した“その場”観察可能な顕微ラマン分光装置を用いて多結晶性シリコンの形成条件について検討した。
ラマン分光による｢Si(OH)4の脱水重合体とオクタン酸塩とが互いに織り込まれるようにして固化した固形物｣中のオクタン酸ナトリウムの分解速度と生成する結晶性シリコンの生成量には相関関係があり、500℃近傍における高温加熱では結晶性シリコンは形成収率は低く酸化ケイ素を”より”多く形成した。また、無酸素雰囲気下においては酸化ケイ素のみが形成した。
ITO導電性ガラス基板上における結晶性Siの形成において、熱的にＩＴＯ導電性ガラスが壊れない250℃近傍におけるシリコンの形成について検討し、薄膜形成は困難であることの知見を得た。
本研究の特徴である大気中における結晶性Ｓｉ形成における重要な役割を演じる酸素が結晶性Ｓｉ形成後の表面に酸化膜を形成する場合があることが明らかとなり、低濃度のアルカリ水溶液による表面処理により酸化膜は除去可能であることの知見を得た。また、酸化膜形成を抑制する上でオレイン酸などより炭素数の多い不飽和脂肪酸を用いてた場合、表面化学修飾剤として機能し、酸化膜形成を抑制できることを確認した。
ＩＴＯ導電性ガラス基板への結晶性Ｓｉ薄膜の直接形成は現状では密着性および均一な膜厚を制御できない状況であるが薄膜太陽電池への利用に向けた評価を行った。
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| Current Status of Research Progress |
Reason
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(1 results)
