Development of dopant atom devices based on silicon nanostructures

2015 Fiscal Year Final Research Report

• Project/Area Number: 23226009
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Electron device/Electronic equipment
• Research Institution: Shizuoka University
• Principal Investigator: Tabe Michiharu 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80262799)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): SHINADA Takahiro 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (30329099) ; ONO Yukinori 富山大学, 大学院理工学研究科, 教授 (80374073) ; MIZUTA Hiroshi 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 教授 (90372458) ; MORARU Daniel 静岡大学, 工学部, 准教授 (60549715)
• Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha): FUJIWARA Satoshi NTT, 物性科学基礎研究所, 上席特別研究員 (70393759)
• Project Period (FY): 2011-04-01 – 2016-03-31
• Keywords: 電子デバイス・機器 / シングルドーパント / シリコン / 量子ドット / ドーパント原子 / ナノデバイス / トランジスタ

Outline of Final Research Achievements

Silicon technology has continuously developed by utilizing statistically averaged　effect　of　many　dopants.　This　research　project　aims　at　developing　individual dopant atom devices for ultimately miniaturized devices. As a result, in order to step forward for practical application, we have succeeded in high-temperature (room temperature) operation with help of a quantum dot formation due to a few dopants. Based on these results, dopant device technology has launched for new electronics.

Free Research Field

半導体電子工学