2013 Fiscal Year Annual Research Report
１００億トランジスタ規模集積回路のチップレベルタイミング解析技術に関する研究
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23500071
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| Research Institution | Ritsumeikan University |
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Principal Investigator |
福井 正博 立命館大学, 理工学部, 教授 (50367992)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
築山 修治 中央大学, 理工学部, 教授 (90142314)
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| Keywords | 高信頼化 / 長寿命化 / 見える化 / 信頼性ホットスポット / 経年劣化 |
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| Research Abstract |
集積回路の微細化技術の進展に伴い，回路が100億トランジスタを搭載し，大規模化・複雑化すると共に，物理変動によるタイミング動作の信頼性保証が大幅に困難化している．本研究課題は，次世代のギガスケールの集積回路に対して，製造ばらつき，電源電圧，熱変動，トランジスタの経年劣化を考慮し，チップレベルでのタイミング解析を高速に行う技術の確立を目指して，考えられる様々な物理条件においてタイミングエラーの発生個所と要因を可視化し，複雑化した次世代集積回路の高信頼化・長寿命化設計に役立てることを目的とする．
同目的に対して研究期間を通じて、(A) 機能ブロックの消費電力と，パワーゲーティングによるラッシュカレントの抽象化に関して信頼性ホットスポットの見える化システムを完成，(B) トランジスタの発熱，および，ラッシュカレントによって発生する電源配線のＩＲドロップに関してブロックレベルでの高速統計的解析技術の解明を行うシステムを構築，(C) NBTI などの経年劣化に伴う論理ゲートの遅延ばらつきと製造ばらつきに起因する遅延ばらつきを統一的に取り扱うことができる遅延モデルと，同モデルに基づいた統計的静的遅延解析手法を完成するなどの実績を示した．
また、本研究課題を進める中で、蓄電池や基板を含めた電子システムの温度管理、信頼性管理技術への発展の足がかりをつかむことができ、研究シーズとしての深まりと、実用技術への展開を達成することができた．
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