2011 Fiscal Year Research-status Report
結晶粒径制御によるナノ結晶シリサイドの作製とナノコンタクト界面の形成に関する検討
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23560353
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| Research Institution | Kitami Institute of Technology |
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Principal Investigator |
野矢 厚 北見工業大学, 工学部, 教授 (60133807)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
武山 眞弓 北見工業大学, 工学部, 准教授 (80236512)
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| Project Period (FY) |
2011-04-28 – 2014-03-31
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| Keywords | シリサイド / Ni結晶粒 / 界面平坦性 / 結晶粒成長 |
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| Research Abstract |
NiSi相の形成に際してのNi結晶粒径を変えた時の特に形成相の粒径と界面平坦性に注目して実験を行った。最初の取り組みとして、特に初期堆積するNi結晶粒が同じであれば、反応温度の変化に対して結晶粒と界面平坦性に差が生じることを確認し、形成されたNiSi結晶の粒成長が界面平坦性を担うポイントであることが分かった。このことより、NiSi相をSi基板とのコンタクト層として、上部にCu電極を堆積した系について、そのコンタクトの安定性を評価しどの様な固相反応が起こって系の崩壊に至るかを検討した。 この実験の過程で、反応条件によりシリサイド形成反応がマルチフェイズとなる可能性が見出されたので、その新たな現象について再現性を含めて検討しているが、シリサイド反応過程について本研究目的とは離れるが、新たな知見が得られる可能性がある。 初期堆積Ni相の結晶粒制御については、引き続き検討を進めている。検討の方向性として予見が正しかったと思われる結果が得られているが、その制御性について今ひとつばらつきが大きく、パラメータを選んでその収束に取り組んでいる。 したがって、初期堆積Ni相の粒径を変化させた時のNiSi相の形成については、２４年度の実験的取り組みとなるが、引き続き反応条件を吟味しながら進めてゆく予定である。 これらのことより、形成シリサイドの粒成長と初期堆積Ni結晶粒の大きさの関連を調べることが次のポイントであることがわかった。また、形成過程に関する新たな知見が得られる見通しも得られた。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
初期堆積Ni結晶粒の制御における実験的検討でその制御性に予想よりばらつきが大きかったことにより、そのパラメータの抽出と工夫に時間を要している。また、実験の過程で、当初予期しなかったマルチフェイズ形成過程の可能性が見られ、こちらの確認に時間を要している。
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| Strategy for Future Research Activity |
初期堆積Ni相の結晶粒径の制御について引き続き検討を行う。また、反応によって得られるNiSi相の結晶粒径との関連、界面平坦性との関連について実験的検討を行う。 また、新規に見出されたマルチフェイズ形成過程についても引き続き検討を行う。
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| Expenditure Plans for the Next FY Research Funding |
初期堆積Ni相の結晶粒径制御を正確に行うために、スパッタガスの流量制御を正しく行うために、微調整可能なマスフローメータを導入することを検討している。その他については、概ね計画通りに使用を予定している。
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