ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却

2023 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 23H05460
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Review Section: Broad Section D
• Research Institution: Meijo University
• Principal Investigator: 竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291) ; 田中 崇之 名城大学, 理工学部, 准教授 (10367120) ; 今井 大地 名城大学, 理工学部, 准教授 (20739057) ; 岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 教授 (40367735) ; 亀井 利浩 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (90356824)
• Project Period (FY): 2023-04-12 – 2028-03-31

Summary of the Research Project

４ eV以上のワイドギャップ窒化物半導体は、従来の「不純物ドーピング」による電気伝導制御が困難である。本研究は、不純物のイオン化エネルギーに依存しない「分極ドーピング」と「トンネル接合」による新規伝導制御手法を体系化しようとするものであり、実験的原理検証と逆符号分極電荷の弊害対策を行う。さらに、GaNトンネル接合の低抵抗化の原因を明らかにし、混晶を含む様々なトンネル接合に展開する。これらの手法により実際に伝導性を制御して、様々な次世代ワイドギャップ光デバイスを試作実証する。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

本研究は、ワイドギャップ半導体における電気伝導制御の新たなスタンダードの構築を目指す点に学術的意義がある。これが達成されると、窒化物を含む様々なワイドギャップ半導体における電気伝導制御と紫外発光の新たな道が拓かれると期待される。