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2014 Fiscal Year Annual Research Report

光利得を増強した積層量子ドットによる高機能偏波無依存光アンプの実現

Research Project

Project/Area Number 24360121
Research InstitutionKobe University

Principal Investigator

喜多 隆  神戸大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (10221186)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 原田 幸弘  神戸大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (10554355)
Project Period (FY) 2012-04-01 – 2015-03-31
Keywords量子ドット / 光アンプ / 光利得 / 偏波無依存
Outline of Annual Research Achievements

半導体光アンプ(SOA)は小型であるだけでなく、100 Gb/s以上で動作する高速光パルスの3R光再生中継デバイスや超高速スイッチングデバイスとして期待されている。しかし従来の量子井戸を利用したSOAでは量子井戸に平行なTE偏光成分の増幅利得が圧倒的に大きく、光ファイバ中を伝搬して偏波情報を失った入力信号を忠実に再生できない。量子ドットを利用すれば積層成長によるドット高さの制御が可能であり、TM利得増強によって偏波無依存光アンプが実現できる。本研究では、MBEを用いて異なる導波路幅、素子長の40層積層InAs/GaAsQDSOAデバイスを作製し、伝搬ELスペクトルと利得スぺクトルのモード解析を行った。スペクトルシミュレーションによりQDSOAデバイスはマルチモードとなっていることが明らかとなった。さらに、基本モードの光強度に重みをもたせたスペクトルシミュレーションではボトムだけでなくトップのスペクトル形状も実験結果に近づいており、マルチモードで動作するQDSOAでは基本モードへの引き込みが生じていることを示した。また、Hakki-Paoli法を用いた利得スペクトル解析によりマルチモードのQDSOAでは利得スペクトルに複数のピーク構造が現れた。等価屈折率法を用いた導波モード解析より、伝搬モードを制御するには導波路幅の制御が重要なカギを握っていることが明らかになった。これはシングルモードで動作する高利得QDSOAデバイス実現への重要な指標である。さらには、量子ドットの電子で満たされた基底準位を100fsのパルス光で励起したときの発光強度の減衰と20ps以下の超高速緩和現象を観測することに成功した。

Research Progress Status

26年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

26年度が最終年度であるため、記入しない。

Causes of Carryover

26年度が最終年度であるため、記入しない。

Expenditure Plan for Carryover Budget

26年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (14 results)

All 2015 2014 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 2 results,  Open Access: 2 results,  Acknowledgement Compliant: 1 results) Presentation (10 results) (of which Invited: 3 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Photoluminescence Properties of InAs Quantum Dots on Nitrogen δ-Doped GaAs2014

    • Author(s)
      T. Kaizu, and T. Kita
    • Journal Title

      Proceedings of the fourteenth international Symposium on Advanced Fluid Information

      Volume: 1 Pages: 148-149

  • [Journal Article] Hot-Carrier Solar Cells Using Low-Dimensional Quantum Structures2014

    • Author(s)
      D. Watanabe, N. Kasamatsu, Y. Harada, and T. Kita
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett.

      Volume: 105 Pages: 171904-1~5

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1063/1.4900947

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Journal Article] Polarization-Iinsensitive Optical Gain Characteristics of Highly Stacked InAs/GaAs Quantum Dots2014

    • Author(s)
      T. Kita, M. Suwa, T. Kaizu, and Y. Harada
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 115 Pages: 233512-1~5

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1063/1.4884228

    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] InAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリアダイナミクス2015

    • Author(s)
      原田幸弘、 渡部大樹、 笠松直史、 喜多隆
    • Organizer
      日本物理学会第70回年次大会
    • Place of Presentation
      早稲田大学、東京都
    • Year and Date
      2015-03-21 – 2015-03-24
  • [Presentation] GaAsキャップ層成長温度によるInAs/GaAs量子ドットの広帯域発光波長制御2015

    • Author(s)
      松村拓哉、 海津利行、 喜多隆
    • Organizer
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学、相模原市
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
  • [Presentation] Intraband Carrier Dynamics in Self-Assembled Quantum Dots for Infrared Optical Devices2014

    • Author(s)
      Y. Harada, T. Maeda, T. Kita
    • Organizer
      EMN Fall Meeting
    • Place of Presentation
      Orland、アメリカ
    • Year and Date
      2014-12-07 – 2014-12-10
    • Invited
  • [Presentation] Modulation of Photoluminescence Properties of InAs Quantum Dots on Nitrogen δ-Doped GaAs2014

    • Author(s)
      T. Kaizu, and T. Kita
    • Organizer
      International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials
    • Place of Presentation
      神戸大学、神戸市
    • Year and Date
      2014-11-13 – 2014-11-14
  • [Presentation] Growth and Characterization of Stacked InAs/GaAs Quantum Dots for Photovoltaics2014

    • Author(s)
      T. Kita
    • Organizer
      International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials
    • Place of Presentation
      神戸大学、神戸市
    • Year and Date
      2014-11-13 – 2014-11-14
    • Invited
  • [Presentation] GaAs cap 層成長温度によるInAs/GaAsInAs/GaAs量子ドットの発光波長制御2014

    • Author(s)
      松村拓哉 、 海津利行、 喜多隆
    • Organizer
      平成26年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会
    • Place of Presentation
      神戸大学、神戸市
    • Year and Date
      2014-11-08 – 2014-11-08
  • [Presentation] 窒素δドープGaAs上のInAs量子ドットの発光波長シフト機構2014

    • Author(s)
      海津利行、 喜多隆
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学、札幌市
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
  • [Presentation] 近接積層InAs/GaAs量子ドット半導体光アンプの光導波モード制御2014

    • Author(s)
      大橋知幸、諏訪雅也、安達貴哉、海津利行、原田幸弘、喜多隆
    • Organizer
      平成26年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
    • Place of Presentation
      大阪大学、吹田市
    • Year and Date
      2014-07-26 – 2014-07-26
  • [Presentation] 近接積層InAs/GaAs量子ドットによるTE/TMランダムレーザ発振2014

    • Author(s)
      安達貴哉、大橋知幸、諏訪雅也、松村拓哉、原田幸弘、海津利行、喜多隆
    • Organizer
      平成26年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
    • Place of Presentation
      大阪大学、吹田市
    • Year and Date
      2014-07-26 – 2014-07-26
  • [Presentation] Carrier Dynamics and Two-Step Photon Absorption in InAs/GaAs Quantum Dot Intermediate Band Solar Cells2014

    • Author(s)
      T. Kita
    • Organizer
      High-Efficiency Materials for Photovoltaics 2014
    • Place of Presentation
      London、イギリス
    • Year and Date
      2014-07-21 – 2014-07-22
    • Invited
  • [Remarks] 研究室ホームページ研究紹介

    • URL

      http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/index.html

URL: 

Published: 2016-06-01  

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