2013 Fiscal Year Research-status Report
半導体レーザーにおけるアクティブＭＭＩ現象による縦モード干渉の研究とその応用
| Project/Area Number |
24560047
|
|---|
| Research Institution | Kyushu University |
|---|
Principal Investigator |
浜本 貴一 九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (70404027)
|
|---|
| Keywords | 半導体レーザー / アクティブMMI / 周波数応答特性 / 高速変調 |
|---|
| Research Abstract |
非対称アクティブMMIレーザーを試作し、特に高速変調特性の可能性を検討するため、変調領域を微小区間として分離した構造を試作した。評価の結果から、変調領域を微小区間とする効果にとどまらず、前段のMMI領域でのフォトン発生による高いフォトン密度が高速変調に有効であることを初めて実証した。実験解析を行った結果、現状構造で共振周波数～5GHz（電気的なRCの影響含む）、さらには真正共振周波数として26GHzと高い周波数応答特性の確認に成功した。また、フォトン密度を高めることで、将来的には40GHz以上の周波数応答特性の実現が可能であることを予測した。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
前年度までに単一波長発振に関するメカニズムの解析を終了しており、今年度は将来の光通信への応用を目指して、高速変調特性の可能性について検討を進めた。その結果、真正共振周波数として26.4GHzと高い応答特性を確認しており、この結果から、40Gbpsの世界最高レベルの直接変調レーザーの可能性を示すことに成功した。今後さらに、本レーザーの特徴であるMMI構造を十分に生かすことで、より一層の高速変調特性も期待できる成果である。
|
| Strategy for Future Research Activity |
当該年度は、高速変調特性について想定していた以上に成果が表れた。この特性について、より一層追及を進め、世界最高性能の半導体レーザー実現を目指す。
|
