2014 Fiscal Year Annual Research Report
環境分析のためのシリコン上ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｓ発光素子の開発
| Project/Area Number |
24681026
|
|---|
| Research Institution | Tohoku University |
|---|
Principal Investigator |
肥後 昭男 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 助教 (60451895)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2016-03-31
|
| Keywords | LED / 光デバイス |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
本年度は、昨年度の研究の進展から、光半導体素子作製の上で重要なエッチング技術の確立をおこなった。プラズマエッチングでは半導体素子の光利得材料にダメージが入るため光素子を作製することが困難であった。そこで、中性粒子ビームエッチングを導入することで、光利得材料を低損傷のエッチングダメージで作製することが可能になった。InGaAsのエッチングおよびそのフォトルミネッセンス特性を測定することで、InGaAs層にエッチングによる明瞭なダメージが入っていないことを確認した。さらに、透過型電子顕微鏡による評価等もおこない、目でみえるような欠陥はエッチング界面において生じていないことを確認した。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
シリコン上III-V族半導体素子を作製する上で重要となる光利得材料をプラズマエッチングすることでダメージが入り、光利得を十分に得ることができない。その解決策として中性粒子ビームエッチングを用いることで光利得材料へのプラズマダメージを低減することを試みている。
|
| Strategy for Future Research Activity |
今年度得られたプラズマダメージの知見と中性粒子ビームエッチングを用いることで低損傷エッチングができることが明らかになりつつあるため、今後も光デバイスを作製し評価していく。
|
| Causes of Carryover |
研究遂行に若干の遅れががあり、その結果購入すべき物品が変更になったため。
|
| Expenditure Plan for Carryover Budget |
研究を遂行するにあたり、生じた部品等を購入することにより適切に実行していく。
|
Research Products
(3 results)
