高温溶液成長の3DxTイメージングとフェーズフィールドアナリシス

2024 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 24H00384
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 26:Materials engineering and related fields
• Research Institution: The University of Osaka
• Principal Investigator: 吉川 健 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90435933)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 小泉 雄一郎 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (10322174) ; 鹿園 直毅 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (30345087) ; 奥川 将行 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (70847160) ; 中本 将嗣 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (80467539) ; 川西 咲子 京都大学, エネルギー科学研究科, 准教授 (80726985)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2028-03-31

Scientific Significance and Expected Research Achievements

ワイドギャップ半導体であるAlNおよびSiCを対象として、結晶成長界面の温度、流れ、界面飽和度をリアルタイムに評価する手法を確立することは、高温であるがゆえに困難を伴う。この難しい課題に先端的研究手法を用いて挑む本研究は、材料学の研究として高い意義を有している。本研究から得られる情報は高品質なパワー半導体の開発に繋がる可能性が高いと期待される。