2015 Fiscal Year Annual Research Report
歪み誘起ゲージ場を用いたグラフェンのエネルギーギャップの生成と制御
Project/Area Number |
25286021
|
Research Institution | University of Tsukuba |
Principal Investigator |
神田 晶申 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (30281637)
|
Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
|
Keywords | グラフェン / 伝導ギャップ / バンドギャップ / 歪み効果 / 擬似磁場 / 電界効果トランジスタ |
Outline of Annual Research Achievements |
格子歪みを使ってグラフェンに伝導(バンド)ギャップを誘起する手法には、(I) 局所歪みで誘起される擬似磁場による電子のサイクロトロン運動を用いる方法、(II) 周期歪みによるバンド変調による方法の2通りがある。今年度は両手法について実験を行った。 1)前年度までの研究で、(I)を実現するためにはキャリアの平均自由行程の増大、歪みの空間変化量の増大が必要であることがわかっている。そのための方法として、対称的な表面凹凸のある1対のhBN薄片でグラフェンを挟み込んで歪みを導入する方法を開発した。ここでは、微細加工を施した4枚のhBN膜と1枚のグラフェンを乾式転写法によって精密に積層させる。顕微ラマン分光では、約0.1%の局所歪みが確認され、伝導測定においては、最小コンダクタンスの温度依存性にて、3.2meVのエネルギーギャップが確認された。この大きさは、歪み量から見積もった値と一致する。 2)(II)を実現するためにはグラフェンに電極を形成した後に歪みを導入する必要があることが前年度の研究でわかっている。そのための手法として、レジストでできた厚板に貼り付けたグラフェンを周期凹凸構造のある基板上に配置し、電極を形成したのちに厚板を除去して基板の凹凸に対応した歪みを導入する、という方法を考案した。この方法で作製した周期0.6ミクロンの周期歪みを持つグラフェンでは、最小コンダクタンスの温度依存性、電流電圧特性において2.4meVのバンドギャップを観測した。 このように、2通りの手法によって、グラフェン電界効果トランジスタ構造における歪み誘起伝導ギャップの観測に世界で初めて成功した。現在、(I)(II)について、ギャップを飛躍的に増大させるための手法を開発している。
|
Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
Causes of Carryover |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
Expenditure Plan for Carryover Budget |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
Research Products
(19 results)
-
-
-
-
-
-
-
[Presentation] Inducing Strain to Encapsulated Graphene2015
Author(s)
H. Tomori, R. Hiraide, Y. Ootuka, K. Watanabe, H. Taniguchi, A. Kanda
Organizer
International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2015)
Place of Presentation
Hilton Waikoloa Village (USA)
Year and Date
2015-11-29 – 2015-12-04
Int'l Joint Research
-
[Presentation] Inducing Strain to Encapsulated Graphene2015
Author(s)
H. Tomori, R. Hiraide, Y. Ootuka, K. Watanabe, H. Taniguchi and A. Kanda
Organizer
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
Place of Presentation
富山国際会議場(富山県富山市)
Year and Date
2015-11-10 – 2015-11-13
Int'l Joint Research
-
-
-
-
-
-
-
[Presentation] Electron Transport in Graphene Nanoribbons Placed on a Corrugated SiC Surface2015
Author(s)
H. Tanaka, K. Fukuma, K. Morita, S. Hayashi, T. Kajiwara, A. Visikovskiy, T. Iimori, K. Ienaga, K. Yaji, K. Nakatsuji, F. Komori, N. T. Cuong, S. Okada, S. Tanaka, and A. Kanda
Organizer
21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems
Place of Presentation
Sendai International Center(宮城県仙台市)
Year and Date
2015-07-27 – 2015-07-31
Int'l Joint Research
-
[Presentation] Quasi-one-dimensional graphene nanostructure on corrugated SiC surfaces2015
Author(s)
S. Tanaka, K. Fukuma, K. Morita, S. Hayashi, T. Kajiwara, A. Visikovskiy, T. Iimori, K. Ienaga, K. Yaji, K. Nakatsuji, F. Komori, H. Tanaka, A. Kanda, N. T. Cuong, and S. Okada
Organizer
17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Place of Presentation
Sendai International Center(宮城県仙台市)
Year and Date
2015-07-27 – 2015-07-31
Int'l Joint Research
-
-
[Presentation] Semiconducting characteristics in self-ordered quasi-one dimensional graphene lateral superlattice2015
Author(s)
S. Tanaka, K. Fukuma, K. Morita, S. Hayashi, T. Kajiwara, A. Visikovskiy, T. Iimori, K. Ienaga, K. Yaji, K. Nakatsuji, F. Komori, H. Tanaka, A. Kanda, N. T. Cuong, and S. Okada
Organizer
The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
Place of Presentation
Nagoya University (愛知県名古屋市)
Year and Date
2015-06-29 – 2015-07-03
Int'l Joint Research
-