2014 Fiscal Year Research-status Report
正方晶ホイスラー合金をベースとした垂直型磁気抵抗素子の理論設計
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25420281
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| Research Institution | Kyoto Institute of Technology |
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Principal Investigator |
三浦 良雄 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 准教授 (10361198)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 第一原理計算 / スピントロ二クス / 磁気緩和 / 結晶磁気異方性 / スピン流 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
平成２６年度は、磁化ダンピングを計算する計算コードの開発を行いダンピングの計算が可能になった。また、交換結合の計算では、スピン軌道相互作用が入った場合の交換相互作用の計算を行い、スピン軌道相互作用がスピンの交換相互作用に与える効果について解析した。特に、ダンピングの計算では、絶縁体と強磁性金属合金の界面領域における磁化ダンピングの電界効果を計算し、その電界制御の可能性について理論的に検討した。その結果、電界で変調できるダンピング定数は全体の3％程度であること、また、下地層の非磁性金属層による影響が大きいことなどを明らかにした。これらの結果は、2015年第62回応用物理学会春季学術講演会で発表した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
平成26年度は、磁化ダンピングの計算が可能になり、学会での研究報告も行ったことから、おおむね順調に研究が進展していると判断している。
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| Strategy for Future Research Activity |
（１）正方晶ホイスラー合金と非磁性金属界面のスピン蓄積とスピン流の解析・・・正方晶ホイスラー合金との界面において大きなスピン流が得られる非磁性金属を、スピン軌道相互作用を取り入れた久保公式による電気伝導度の第一原理計算によって探索しそのメカニズムを明らかにする。
（２）強磁性金属/絶縁体界面でのジャロシンスキー守谷相互作用の解析・・・第一原理計算により、DM相互作用のバッファ層および電極材料依存性を解析し、磁壁の形状や電流駆動速度の制御指針を提案する。
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