• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2013 Fiscal Year Annual Research Report

シリコン中に生成したスピン流の3次元情報制御

Research Project

Project/Area Number 25709027
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

安藤 裕一郎  大阪大学, 基礎工学研究科, 助教 (50618361)

Project Period (FY) 2013-04-01 – 2016-03-31
Keywordsシリコンスピントロニクス / スピン流制御
Research Abstract

スピン流(スピン角運動量を有する電流)は従来,1ビット情報しか輸送できなかった.本研究は申請者のシーズ技術であるSi中へのスピン注入・輸送・操作技術を高度化し,スピン流で輸送できる情報を多ビット化する.具体的にはスピンの向きを3次元的に制御して輸送し,検出電極で3次元情報に復元する技術の確立を図る.本技術によってスピン流で輸送できる情報量は飛躍的に増加し,従来のスピントロニクスを遥かに凌駕する高機能デバイスの実現が期待できる.
本年度はスピンの方向制御技術の向上を目指し,Siチャネルで4π以上のスピンの回転を検出することを試みた.4π以上の回転を検出するためにはSiの長距離輸送が不可欠である.スピンの長距離輸送の実現にはシリコンチャネルを低ドープにすることが有効であると期待される.そこで本研究では非縮退(1e18 cm-3)のSiチャネルを有するデバイスを作製した.また複数回の回転を観測するにはスピン注入電極からスピン検出電極までのスピン流の到達時間を厳密に制御する必要がある.その為,過去の我々の研究でその有用性が明らかになった,スピンドリフトの効果を用いた測定手法を開発した.その結果,21マイクロメートルと非常に輸送距離の長い試料を用いてスピン輸送信号の室温検出に成功し,更に4π以上の回転を観測することに成功した.この結果はスピン方向の3次元制御において2回転に相当する制御までは十分にスピン情報を保持することを意味しており,複数回のスピン回転操作が可能であることが証明された結果と言える.

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

当初はスピン情報の三次元検出を行う予定であった.しかし,デバイス作製装置のトラブルが発生し,新しいデバイスの作製が困難となり,これまでに作製したデバイスで新しい実験を行う必要性が出てきた.従って計画予定の修正を余儀なくされたが,室温における複数回回転のデモンストレーションという予想以上の成果を得ることが出来た.本年度の予定は来年度に繰り越しをするが,その代わりに最終年度に行おうと計画してした結果の一部を既に実現することができたことを鑑みると,概ね順調に進展していると評価できる.

Strategy for Future Research Activity

今後はスピンの3次元検出技術の確立および中間磁性体を用いたスピン方向制御の基礎技術を構築する予定である.

Expenditure Plans for the Next FY Research Funding

消耗品として計上していたが,本年度は使用する必要がなかったため,
来年度の購入に変更した.
実験に使用するカプトンテープを使用する予定である.

  • Research Products

    (5 results)

All 2014 2013

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (3 results)

  • [Journal Article] Local magnetoresistance in Fe/MgO/Si lateral spin valve at room temperature2014

    • Author(s)
      Tomoyuki Sasaki, Toshio Suzuki, Yuichiro Ando, Hayato Koike, Tohru Oikawa, Yoshishige Suzuki, and Masashi Shiraishi
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 104 Pages: 052404

    • DOI

      10.1063/1.4863818

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Spin Drift in Highly-doped n-type Si2014

    • Author(s)
      Makoto Kameno, Yuichiro Ando, Teruya Shinjo, Hayato Koike, Tomoyuki Sasaki, Tohru Oikawa, Toshio Suzuki and Masashi Shiraishi
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 104 Pages: 092409

    • DOI

      10.1063/1.4867650

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Quantitative Investigation of Spin-drift Velocity in Highly-doped n-type Si2013

    • Author(s)
      M. Kameno, Y. Ando, T. Shinjo, H. Koike, T. Sasaki, T. Oikawa, T. Suzuki and M. Shiraishi
    • Organizer
      58TH ANNUAL CONFERENCE ON MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS
    • Place of Presentation
      SHERATON DENVER DOWNTOWN HOTEL (アメリカ合衆国コロラド州デンバー)
    • Year and Date
      20131108-20131108
  • [Presentation] 強磁性-非磁性電極を用いた 2 端子法における 高ドープn 型 Si 中のスピンドリフト速度の定量的評価2013

    • Author(s)
      亀野 誠, 安藤 裕一郎, 新庄 輝也, 白石 誠司,小池 勇人, 佐々木 智生, 及川 亨, 鈴木 淑男
    • Organizer
      日本物理学会(2013年秋季)
    • Place of Presentation
      徳島大学
    • Year and Date
      20130926-20130926
  • [Presentation] Investigation of spin-drift velocity in n-type Si spin valve by using two-terminal Hanle effect measurement2013

    • Author(s)
      亀野 誠, 安藤 裕一郎, 新庄 輝也, 白石 誠司,小池 勇人, 佐々木 智生, 及川 亨, 鈴木 淑男
    • Organizer
      応用物理学会(2013年秋季)
    • Place of Presentation
      同志社大学
    • Year and Date
      20130920-20130920

URL: 

Published: 2015-05-28  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi