Siナノシートの局所改質による量子ナノ構造の作製と評価

2013 Fiscal Year Research-status Report

• Project/Area Number: 25790026
• Research Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• Research Institution: Toyota Central R&D Lab., Inc.
• Principal Investigator: 生野 孝 株式会社豊田中央研究所, 環境・エネルギー1部 エネルギー変換材料研究室, 研究員 (60466331)
• Project Period (FY): 2013-04-01 – 2015-03-31
• Keywords: 層状ナノ構造 / ナノシリコン / 走査プローブ顕微鏡 / ナノデバイス / 局所改質

Research Abstract

走査プローブリソグラフィ技術を用いて，Si層状ナノ構造（Siナノシート：SiNS）を局所改質することにより，サイズや形状が制御された量子ドットや量子細線などの低次元Si系ナノ構造を簡便に規則配列させることが，本研究の目的である．
今年度は，(1)従来の手法でSiNSを作製し局所改質，(2)SiNSの大面積成長法の開発，を実施した．その結果，従来の手法で作製したSiNSは，得られるSiNSのサイズがサブμmと小さく，かつ収率が低いため，本研究で提案した局所改質プロセスには不向きであることがわかった．そこで，新たにSiNSの大面積成長技術を開発した．新成長手法を用いた場合，従来の手法に比べて，100万倍大きい面積のSiNSが得られた．

Current Status of Research Progress

3: Progress in research has been slightly delayed.

Reason

従来のSiナノシート（SiNS）作製手法では，得られるSiNSの面積が小さく，SiNS面内に各種Si系ナノ構造を作製することが困難であることがわかった．
そこで，SiNSの大面積成長技術の開発を行うことを優先した．したがって，申請時の研究計画からやや遅れている．

Strategy for Future Research Activity

今年度，SiNSの新規成長手法開発により，SiNSの大面積成長が実現できた．
今後は申請書に記載した計画で研究を実施する．

Expenditure Plans for the Next FY Research Funding

物品購入をする上で端数が出た．
物品購入に使用予定．