多機能融合・省電力エレクトロニクスのためのSn系IV族半導体の工学基盤構築

2014 Fiscal Year Abstract

• Project/Area Number: 26220605
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Thin film/Surface and interfacial physical properties
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: ZAIMA SHIGEAKI 名古屋大学, 未来社会創造機構, 教授 (70158947)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 竹中 充 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (20451792) ; 齋藤 晃 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (50292280)
• Research Collaborator: NAKATSUKA Osamu 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20334998) ; KUROSAWA Masashi 名古屋大学, 工学研究科, 講師 (40715439)
• Project Period (FY): 2014-05-30 – 2019-03-31