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2015 Fiscal Year Research-status Report

ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングプロセスにおけるUV照射効果の解明

Research Project

Project/Area Number 26390066
Research InstitutionUniversity of Hyogo

Principal Investigator

新部 正人  兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 准教授 (10271199)

Project Period (FY) 2014-04-01 – 2017-03-31
Keywordsドライエッチング / UV照射 / プラズマ / 化合物半導体 / イオンビーム / 欠陥 / 軟X線吸収
Outline of Annual Research Achievements

平成27年度は、ワイドギャップ半導体材料としてAlGaN, VPE-GaN,およびTiO2スパッタ膜について、ガス種をArとCF4および大気圧酸素について、UV照射効果を比較した。ここでは特に、AlGaN試料をCF4プラズマ処理した結果について述べる。
CF4ガスを用いたプラズマは非常に暗く、UV領域の発光も少ない。これに対してArはUV領域の発光が強い。AlGaN試料について、両ガスによるプラズマ処理表面を比較すると、Arプラズマでは表面欠陥が発生し、粗さも増大した。一方、CF4プラズマでは、表面荒れがほとんど起こらないことが分かった。しかしながら、CF4プラズマに、さらにUVランプを用いてUV照射しながら表面処理すると、顕著な表面欠陥が現れた。この欠陥は、CF4ガス圧の高い100mTorr、かつ60min以上の長時間エッチングにより顕著に現れた。UV照射しながらの表面処理による組成変化として、N/Ga比が短時間の処理でも急激に減少し、N原子(イオン)の選択エッチングがエンハンスされることが分かった。しかしながら、軟X線領域の吸収分光法(NEXAFS)で測定した化学結合状態をArプラズマで処理したものと比較すると、結晶構造の乱れ方はArよりも小さかった。すなわち、上記3者の処理によるダメージの大きさは、CF4<CF4+UV<Ar のように準位付けできる。(S. Hirai et al. e-J. Surf. Sci. Nanotech. 13, 481 (2015))
また、その理由について、XPS法やプラズマシミュレータ等による解析から、CF4においてはガス圧高い領域でF+イオンが生成し、これがAlやGa原子と結合して化合物が形成されるため、N欠陥の形成を抑制し、比較的平坦な表面を形成するのではないかと考察された。(R. Kawakami et al. Vacuum, 119, 264 (2015)).

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

イオンビームエッチング装置では、予想していたものよりUV照射効果は小さく観測された。これは、イオンビームエッチングはイオンフラックス密度がプラズマエッチングと比較して小さく、UV照射効果が十分に顕在化しないのが要因ではないかと考えられる。これに対して本年度は、プラズマエッチング装置内にUV照射機構を設けることにより、別途UV照射効果を検討できた。
また、ショトキーダイオードを形成した電気物性評価やフォトルミネセンス法による評価も開始しており、欠陥の深さ方向評価について一応の成果を出すことができた。(Y. Nakano et al., "Ar+-irradiated damage in hydride vapor-phase epitaxy GaN films" J. Vac. Sci. Technol. A33, 043002 (2015)).

Strategy for Future Research Activity

昨年度報告の推進方策に従って、プラズマエッチングにおけるUV照射効果の評価、プラズマエッチングシミュレータの導入、ショットキーダイオードの作製等は進めることができた。しかし、主装置であるイオンエッチング装置では、排気装置の故障などがあり、イオンフラックスの増加、イオン電流モニターシステムの構築などが十分にはできなかった。
したがって今後の推進方策としては、イオンガンの動作ガス圧を上げることにより、安定動作するガス圧範囲を確認し、イオンフラックスの増加を図り、UV照射効果をより見やすくする。

Causes of Carryover

主要装置であるイオンエッチング装置の排気ポンプが故障し、新たにドライ真空ポンプを購入する必要性が出た。また、紫外線ランプの強度を高めるために、従来の二股のライトガイドに対して、新規の石英ファイバーライトガイドを購入した。これらの出費のために、27年度に予定していた卓上型プローバを購入する予算が不足してしまった。
以上より、旅費、人件費等の出費を抑え、次年度にプローバを購入するための予算を確保する必要があり、他項目の出費は抑えた。

Expenditure Plan for Carryover Budget

次年度に交付される予算を含めて、予算の使用法を見直し、卓上型プローバとステージポジショナーを入手したい。これらを用いて、電気的評価ができるように整備していく。

  • Research Products

    (16 results)

All 2016 2015

All Journal Article (5 results) (of which Peer Reviewed: 5 results,  Open Access: 2 results,  Acknowledgement Compliant: 2 results) Presentation (11 results) (of which Int'l Joint Research: 5 results)

  • [Journal Article] Damage Characteristics of n-GaN Crystal Etched with N2 Plasma by Soft X-ray Absorption Spectroscopy2016

    • Author(s)
      M. Niibe, T. Kotaka, R. Kawakami, Y. Nakano, T. Mukai
    • Journal Title

      e-J. Surf. Sci. Nanotech.

      Volume: 14 Pages: 9-13

    • DOI

      10.1380/ejssnt.2016.9

    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Ar+-irradiation-induced damage in hydride vapor-phase epitaxy GaN films2015

    • Author(s)
      Y. Nakano, D. Ogawa, K. Nakamura, R. Kawakami, M. Niibe
    • Journal Title

      J. Vac. Sci. Technol. A

      Volume: 33 Pages: 043002-1~5

    • DOI

      10.1116/1.4922593

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Comparison between AiGaN surfaces etchtched bycarbon tetrafluoride and argon plasmas: Effect of the fluorine impurities incorporated in the surface2015

    • Author(s)
      R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, T. Shirahama, S. Hirai, T. Mukai
    • Journal Title

      Vacuum

      Volume: 119 Pages: 264-269

    • DOI

      10.1016/j.vacuum2015.06.002

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Surface Analysis of AlGaN Treated with CF4 and Ar Plasma Etching2015

    • Author(s)
      S. Hirai, M. Niibe, R. Kawakami, T. Shirahama, Y. Nakano, T. Mukai
    • Journal Title

      e-J. Surf. Sci. Nanotech.

      Volume: 13 Pages: 481-487

    • DOI

      10.1380/ejssnt.2015.481

    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Resistance of Hydrogenated Titanium-Doped Diamond-Like Carbon Film to Hyperthermal Atomic Oxygen2015

    • Author(s)
      K. Kidena, M. Endo, H. Takamatsu, M. Niibe, M. Tagawa, K. Yokota, Y. Furuyama, K. Komatsu, H. Saitoh, K. Kanda
    • Journal Title

      Metals

      Volume: 5 Pages: 1957-1970

    • DOI

      10.3390/met5041957

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] CF4プラズマ処理したn-GaN膜の電気的評価2016

    • Author(s)
      6) 中野由崇, 坂井佑輔, 新部正人, 川上烈生
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS 法による組成と触媒活性の相関2016

    • Author(s)
      7) 荒木佑馬,新部正人,川上烈生,竹平徳崇,中野由崇
    • Organizer
      第29回日本放射光学会シンポジウム
    • Place of Presentation
      東京大学柏の葉キャンパス(千葉県柏市)
    • Year and Date
      2016-01-09 – 2016-01-11
  • [Presentation] CF4とArプラズマ処理したAlGaN膜の表面分析2016

    • Author(s)
      8) 平井翔大,新部正人,川上烈生,竹平徳崇,中野由崇,向井孝志
    • Organizer
      第29回日本放射光学会シンポジウム
    • Place of Presentation
      東京大学柏の葉キャンパス(千葉県柏市)
    • Year and Date
      2016-01-09 – 2016-01-11
  • [Presentation] Anatase TiO2 Thin Films Grown by Facing-Target Reactive Sputtering and Its Impact on Photocatalytic Activity2015

    • Author(s)
      1) R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, C. Azuma and T. Mukai
    • Organizer
      International Symposium of Dry Process 2015
    • Place of Presentation
      Awaji-Yumebutai International Conference Center, (兵庫県淡路島)
    • Year and Date
      2015-11-05 – 2015-11-06
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS 法による組成と触媒活性の相関2015

    • Author(s)
      9) 荒木佑馬,新部正人,川上烈生,竹平徳崇,中野由崇
    • Organizer
      第51回X線分析討論会
    • Place of Presentation
      姫路・西はりま地場産業センター(兵庫県姫路市)
    • Year and Date
      2015-10-29 – 2015-10-30
  • [Presentation] 紫外光アシストCF4プラズマでエッチンングされたAlGaN表面分析2015

    • Author(s)
      10)新部正人,川上烈生,中野由崇,竹平徳崇,平井翔大,荒木佑馬,東知里,向井孝志
    • Organizer
      第76回秋季応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] 酸化チタン薄膜表面への酸素プラズマ照射効果2015

    • Author(s)
      11)新部正人,荒木佑馬,竹平徳崇,川上烈生,中野由崇,東知里
    • Organizer
      第76回秋季応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] A Relation between Pinch-Off Voltages and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Treated by CF4 Plasma2015

    • Author(s)
      2) Y. Nakano, R. Kawakami, M. Niibe, T. Shirahama and T. Mukai
    • Organizer
      11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • Place of Presentation
      Beijing, China
    • Year and Date
      2015-08-30 – 2015-09-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Comparison between Surface Characteristics of Titanium Oxide Thin Films Treated with N2 Dielectric Barrier Discharge Plasma and Annealed in N2 Gas2015

    • Author(s)
      5) R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano and T. Mukai
    • Organizer
      13th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes (ISSP)
    • Place of Presentation
      京都リサーチパーク, (京都府京都市)
    • Year and Date
      2015-07-08 – 2015-07-10
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Low energy soft X-ray Emission Spectrometer at BL-09A in NewSUBARU2015

    • Author(s)
      3)Masahito Niibe and Takashi Tokushima
    • Organizer
      The 12th inter’l conf. on Synchrotron Radiation Instrumentation (SRI2015)
    • Place of Presentation
      New York, USA
    • Year and Date
      2015-07-06 – 2015-07-10
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Development of the Surface-sensitive Soft X-ray Absorption Fine Structure Measurement Technique for the Bulk Insulator2015

    • Author(s)
      4) T. Yonemura, J. Iihara, S. Uemura, K. Yamaguchi, M. Niibe
    • Organizer
      The 12th inter’l conf. on Synchrotron Radiation Instrumentation (SRI2015)
    • Place of Presentation
      New York, USA
    • Year and Date
      2015-07-06 – 2015-07-10
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2017-01-06  

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