• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2015 Fiscal Year Research-status Report

電流注入型量子もつれダイオードの研究

Research Project

Project/Area Number 26420320
Research InstitutionSophia University

Principal Investigator

中岡 俊裕  上智大学, 理工学部, 准教授 (20345143)

Project Period (FY) 2014-04-01 – 2017-03-31
Keywords量子ドット / 単一光子発生 / サイドゲート素子
Outline of Annual Research Achievements

高セキュリティを保証する量子通信ネットワークの形成には、量子情報通信の中核を担う単一光子素子を発展させ、量子もつれ生成を基軸とする量子中継の実現が必要である。本研究では、そのような単一光子素子の発展、量子もつれLED開発の基盤技術として、量子もつれを引き起こす電子状態に遷移させるためのゲート制御を、実装に向いた電流注入型において実現する「ゲート制御と電流注入を両立する単一光子素子」と「単一光子素子の集積化」について基盤技術開拓を目指した。ゲート制御は量子もつれ生成に必要な状態の準備、電流注入型はコンパクトな実装に不可欠であるだけでなく、光の回折限界を超えた集積化により、送信ビットレート向上、量子エラー処理に貢献する。
成果として①良好なサイドゲート動作が期待できる直径200nmから1umのピラー構造を持つ、サイドゲート型素子の作製に成功、②ゲート制御に必要なフリップチップ型の実装及び測定手法の確立、③電流注入発光(LED)の達成、④300ueVのゲート制御に成功した。さらに将来の集積化に向けて、⑤集積実績のあるナノ構造において単一光子発生を確認した。これらは、量子もつれLED開発の重要な基盤技術として位置づけることができる。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

3: Progress in research has been slightly delayed.

Reason

量子もつれLED達成に向けてボトルネックとなっていた素子作製の困難さ、測定の困難さ、について個々の課題についてほぼ解決することができた。一方で、これらの課題解決の歩留まりは現時点では高くなく、さらなる条件だしにより歩留まり向上を行う必要がある。

Strategy for Future Research Activity

昨年度ドライエッチングプロセスの条件出しを行ったが、ばらつきの根本的な改善にはいたっていない。これを踏まえ、今年度は素子作成手法を変更し光エッチングを用いた手法、新たなゲート絶縁膜などに取り組む予定である。

Causes of Carryover

概ね計画通り執行したが、今年度は素子作製を重視し、予定していた単一光子測定系の最適化を次年度に実施することにしたため。

Expenditure Plan for Carryover Budget

単一光子測定系の最適化に必要な光学部品を購入する予定である。

  • Research Products

    (5 results)

All 2016 2015 Other

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results,  Acknowledgement Compliant: 1 results) Presentation (2 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Photon correlation study of background suppressed single InGaN nanocolumns2016

    • Author(s)
      Takatoshi,Yamamoto, Michiru Maekawa, Yusuke Imanishi, Shunsuke Ishizawa, Toshihiro Nakaoka, and Katsumi Kishino.
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys

      Volume: 55 Pages: 04EK03/1-5

    • DOI

      doi:10.7567/jjap.55.04ek03.

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Effect of lateral electric field on the transition energies of neutral and charged excitons in In 0.5 Ga 0.5 As/GaAs quantum dots2015

    • Author(s)
      Toshio Saito, Toshihiro Nakaoka, and Yasuhiko Arakawa,
    • Journal Title

      PHYSICAL REVIEW B

      Volume: 91 Pages: 115306/1-12

    • DOI

      doi:10.1103/physrevb.91.115306.

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Photon correlation study of background suppressed single InGaN nanocolumns2015

    • Author(s)
      Takatoshi Yamamoto, Michiru Maekawa, Yusuke Imanishi, Shunsuke. Ishizawa, Toshihiro Nakaoka, and Katsumi Kishino,
    • Organizer
      47th Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
    • Place of Presentation
      Sapporo Convention Center, Sapporo, Hokkaido
    • Year and Date
      2015-09-30
  • [Presentation] InGaN/GaNナノコラム局在状態からの直線偏光発光2015

    • Author(s)
      山本貴利、前川未知瑠、今西佑典、関根清登、石沢峻介、中岡俊裕、岸野克巳,
    • Organizer
      第76回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場、名古屋
    • Year and Date
      2015-09-14
  • [Remarks] http://pweb.sophia.ac.jp/nakaoka/gyouseki.html

URL: 

Published: 2017-01-06  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi