1986 Fiscal Year Annual Research Report
シリコン上への燐化インジウムのハイブリット成長と光デバイスへの応用に関する研究
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60460121
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
梅野 正義 名古屋工大, 工学部, 教授 (90023077)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
酒井 士郎 名古屋工業大学, 工学部, 助手 (20135411)
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| Keywords | 燐化インジウム / 歪超格子 / GaAsPLED / 混晶半導体 / 可視光レーザ |
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| Research Abstract |
Si基板上に燐化インジウム(InP)を成長する予備実験として、Si上にGaAsとGaAsPとの成長を行った。中間層はX=0〜0,4の間ではGaP,GaP/GaAsP歪超格子,GaAsP/GaAs歪超格子であり、X=0.4〜0.75の間ではGaP,GaP/GaAsP歪超格子であり、X=0.75〜1の間では、GaPのみである。X=0〜0.4の間で鏡面な結晶が得られた。X=0.2〜0.4の間では室温PL半値幅は45〜58mevであった。4.2KのPLスペクトルはXか増加させるとX=0.56で大きく変化する。これは遷移が直接から間接に変わったためだと考えられる。デバイス応用として、Si上にGaAsレーザとGaAsPLEPを作製した。赤色で発光する可視光LEDがSi上に形成することができた。
今後は今までの結果をふまえてSi上に成長したGaAsやGaAsPの上にLPE法でInGaAsP等の混晶半導体を成長する。また、光デバイスへの応用としてこの上にInGaAsPの可視光レーザまたはLED(発光ダイオード)を作製する。
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[Publications] T.Soga;S.Sakai;M.Takeyasu;M.Umeno;S.Hattori: Iust.Phys.Conf.Ser.79. 133-138 (1986)
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[Publications] M.Takeyasu;T.Soga;S.Sakai;M.Umeno: Jpn.J.Appl.Phys.25. L297-298 (1986)
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[Publications] T.Soga;S.Hattori;S.Sakai;M.Umeno: J.Cryst.Growth. 77. 498-502 (1986)
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[Publications] M.TaKeyasu;S.Sakai;M.Umeno;T.Soga: Jpn.J.Appl.Phys.25. 1388-1392 (1986)
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[Publications] S.Sakai;X.W.Hu;T.Soga;M.Umeno: JPn.J.Appl.Phys. 25. 1957-1958 (1986)
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[Publications] M.Umeno;S.Sakai;M.Takeyasu;M.Umeno: Proc.MRS.1986 Meeting. (1986)
