超伝導体ー半導体結合による新電子現象の開拓と電子デバイスへの応用に関する研究

1987 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 62420020
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: 早川 尚夫 名古屋大学, 工学部, 教授 (60189636)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 高井 吉明 名古屋大学, 工学部, 講師 (50109287) ; 赤崎 勇 名古屋大学, 工学部, 教授 (20144115)
• Keywords: 超伝導ー半導体結合 / 電子デバイス

Research Abstract

1.本研究の目的
エレクトロニクスデバイスの高性能化
従来のSi半導体デバイスより優れた高速性・低消費電力を特徴とする新デバイスの開発.
→超伝導ー半導体結合デバイス
2.本研究の研究実績
a)当初の計画
・超伝導体として用いるNbN薄膜の作成
・同薄膜の超伝導特性(Tc,コヒーレングス長など)の評価
・半導体基板の最適化
b)研究経過,実績
・本科研費により購入したマグネトロン型2極高周波スパッタ装置により,Nb,およびNbN超伝導薄膜の作成と最適製膜条件の選定を行なった. その結果,Nbで約9K,NbNで15KのTcが得られた.
・一方, Nbを用いた超伝導伝送路の理論的シミュレーンを行なって信号波形の解析を進め,損失・分散の無い伝送路の実現の可能性を検討した.
・研究計画ではNbなどの極低温超伝導体を対象としたが,YBaCuO系,BiSrCaCuO系の高温超伝導体を用いた電子デバイスの実現のためその薄膜化,特性評価を行なった.

Research Products

• [Publications] T.Hato; Y.Takai; H.Hayakawa: Japan. J. Appl. Phys. Letters. (1988)
• [Publications] 安藤,中舎,高井,早川: 電子情報通信学会技術報告. 87. SCE49-54 (1987)