1989 Fiscal Year Annual Research Report
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62850055
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
赤崎 勇 名古屋大学, 工学部, 教授 (20144115)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
橋本 雅文 (株)豊田中央研究所, 研究3部, 次長
天野 浩 名古屋大学, 工学部, 助手 (60202694)
平松 和政 名古屋大学, 工学部, 講師 (50165205)
澤木 宣彦 名古屋大学, 工学部, 教授 (70023330)
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| Keywords | GaN / GaAlN / pn接合形青色LED / MOVPE / カソ-ドルルミネッセンス / Mg添加 / p形GaN / 多層構造 |
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| Research Abstract |
1.前年度に引続き、GaNの高品質MOVPE結晶成長条件下でZnを添加することによりMIS構造に必要な抵抗率の高いi層を実現し、MOVPE法による高性能MIS型青色LED(発光効率0.3%)を実現した。
2.カソ-ドルミネッセンス(CL)法によりZn添加GaNの発光微細特性及び発光スペクトルを評価した結果、「GaH表面微細構造」と「発光波長及び発光強度」の間に密接な関係があることを見出し、面内で均一な青色発光を得るための成長条件を明らかにした。
3.MOVPE法によりMg添加GaNの結晶成長を行い、以下の結果を得た。(1)Mg濃度はMg原料流量に対し線形的に制御できる。(2)Zn添加の場合と異なりMgの添加効率は基板温度によらず一定である。(3)Mg濃度を制御することにより室温のPL測定において青色発光(440〜460nm)を得た。(4)電子線照射処理を施すことにより、青色発光強度が1桁以上も増加すること、かつp形GaN(正孔濃度〜10^<16>cm^<-3>)が得られることを見出した。(5)pn接合形LEDを試作し、その発光スペクトルを測定したところ、青紫色及び紫外発光が観測された。以上の結果、Mg添加はGaN系短波波長発光素子の作製に極めて有効な方法であることが明らかになった。
4.GaN上にGaAlNを成長させヘテロ接合の作製を行った結果、GaAlN層にクラックが発生することが分かった。このクラック発生はGaAlN層の組成及び膜厚を制御することにより抑制できることが明らかになった。またこのクラック抑制技術に基づきGaNとGaAlNの多層構造を作製した結果、表面平坦性の優れた多層膜が得られた。
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Research Products
(6 results)
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[Publications] I.Akasaki: "Effects of AlN buffer layer on crystallographic structure and on elctrical and optical properties of GaN and Ga_<1->xAlxN(0<x<0.4)films grown on sapphire substrate by MOVPE" J.Crystal Growth. 98. 209-219 (1989)
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[Publications] H.Amano: "P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiattion(LEEBI)" Jpn.J.Appl.Phys.28. L2112-L2114 (1989)
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[Publications] K.Hiramatsu: "Cathodoluminescence of a MOVPE-grown GaN layer on α-Al_2O_3" J.Crystal Growth. (1990)
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[Publications] K.Itoh: "Preparation of AlxGa_<1->xN2 GaN heterostructure by MOVPE" J.Crystal Growth. (1990)
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[Publications] H.Amano: "UV and blue electroluminescence from Al/GaN:Mg/GaN LED treated with low-energy electron bram irradiation(LEEBI)" Proc.Int.Symp.GaAs and Relayed Compounds Karuizawa,1989. (1990)
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[Publications] H.Amano: "Growth and luminescence properties of Mg-doped GaN Prepared by MOVPE" Proc.10th State-of-art program on compound semicond.in 175th Electrochemical Society Meeting,Los Angeles 1989.(1990)
