2016 Fiscal Year Annual Research Report
配位感応型キラリティの効率的制御に基づく低配位ホスフィン錯体の高性能触媒化
Publicly Offered Research
| Project Area | Stimuli-responsive Chemical Species for the Creation of Functional Molecules |
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15H00923
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
伊藤 繁和 東京工業大学, 物質理工学院, 准教授 (00312538)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | 動的キラリティ / 低配位ホスフィン / 金触媒 / パラジウム |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、フレキシブルなC2対称骨格を有する低配位ホスフィンの動的キラリティを実現し、さらにその手法を用いて高い性能を示す均一系不斉触媒の開発を目的としている。平成２８年度は、高い不斉誘起が期待できる新たなC2対称P2低配位ホスフィンの開発において特徴的な構造変化を示す誘導体を見出し、その詳細な解析を行った。また、高い触媒活性の実現を指向して、ホスファアルケンユニットにパイ共役系分子ユニットを立体選択的に導入できる新手法を確立し、実際に高活性触媒の開発に有用である知見を得た。
１）P=C-C=P骨格にケイ素を含む６員環構造を組みあわせることでゴーシュ配座を固定した化合物を合成し、明確なC2対称となったその構造解析を行った。その結果、結晶状態と溶液状態でNMRデータが大きく異なることを確認した。P=C-C=P骨格の本質的な不安定性を考慮すると、溶液において高周期ブタジエン骨格が不完全な電子環状反応を起こしている可能性が高い。このことは、対応する化合物と類似した基本物性が得られたことからも示唆された。この化合物を金属錯体とすると、溶液状態でもP=C-C=P骨格を示すデータが得られた。
２）sp2炭素上に二つの臭素をもつgem-ジブロモホスファアルケンに対して、パラジウム触媒を用いてアリール基およびアルキニル基を立体選択的に導入するプロセスを、副反応である1,2-転位を抑制する反応条件を見出すことで確立することに成功した。合成したホスファアルケンを塩化金錯体に誘導してその触媒活性を検討したところ、適切なアリール基とアルキニル基を立体選択的に導入することが高い触媒活性の発現に重要であることがわかった。
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| Research Progress Status |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(16 results)
