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2017 Fiscal Year Annual Research Report

Fabrication of single photon source in silicon carbide by femtosecond laser processing

Publicly Offered Research

Project AreaMaterials Science and Advanced Elecronics created by singularity
Project/Area Number 17H05340
Research InstitutionThe University of Tokushima

Principal Investigator

富田 卓朗  徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 准教授 (90359547)

Project Period (FY) 2017-04-01 – 2019-03-31
Keywordsレーザー加工 / シリコンカーバイド / 単一光子源
Outline of Annual Research Achievements

次世代のワイドバンドギャップ半導体であるシリコンカーバイド(SiC)に電子線照射を行うことで点欠陥が生成されることが報告されている。この点欠陥からの光は明滅現象を示し、アンチバンチング測定によって単一光子であることが確認されている。このことは、SiC への適切な欠陥の導入が単一光子源の作製に繋がることを示している。そこで、本研究では電子線照射の代わりにフェムト秒レーザー光照射を行うことで単一光子源を作製することを目的とし、研究を進めている。
この研究目的を達成する為には多数の課題の解決が必要であるが、その第一歩としてフェムト秒レーザー照射によってどの程度の小さいサイズの加工痕ができるかを議論することが必須である。しかし、フェムト秒レーザー加工で作製される微小な加工痕は200nmを下回ると予想され、そのような加工痕を光学顕微鏡でその場観察することは不可能である。
このような微細な加工痕を観察するには光学顕微鏡よりも、空間分解能がより高い走査型電子顕微鏡観察が適している。特に、点欠陥のような微細欠陥の評価にはフェムト秒レーザー光照射後の表面を走査型電子顕微鏡でその場観察できるような実験系が適している。しかし、走査型電子顕微鏡は大掛かりで、その内部でフェムト秒レーザー光照射を行うことはこれまで実質的に不可能であった。そこで、申請者らが保有する小型卓上走査型電子顕微鏡 (テクネクス工房、Tiny-SEM 1710 型)を用い、この試料観察チャンバーのポートを石英窓に交換することで、フェムト秒レーザー光を石英窓から走査型電子顕微鏡の試料観察チャンバー内部に導入した。また、走査型電子顕微鏡外部からレンズでレーザー光を集光することにより、試料表面にフェムト秒レーザー光を集光・照射した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

3: Progress in research has been slightly delayed.

Reason

今年度、小型の卓上走査型電子顕微鏡を改造し、フェムト秒レーザー光入射のための光学窓を作製し、走査型電子顕微鏡に取り付け、走査型電子顕微鏡の真空引きや電子顕微鏡観察がフェムト秒レーザー照射の光学系と両立した状態で可能であることを確認した。その後、光学定盤上に走査型電子顕微鏡を設置・固定し、光学系の構築を可能な状態にした。
その上で、フェムト秒レーザー光を走査型電子顕微鏡内部に導入しようとしたところ、走査型電子顕微鏡の視野とフェムト秒レーザー光の光軸を一致させることが容易ではないことが分かった。これは、フェムト秒レーザー光の光軸のみならずフェムト秒レーザー光の集光光学系の焦点も走査型電子顕微鏡の試料ステージに合わせる必要があることが分かったためである。その結果、現時点で研究の進捗は若干遅れている。現在、この問題に対する複数の解決方法を試行・検討しており、近日中に解決できるものと考えている。

Strategy for Future Research Activity

フェムト秒レーザー光の入射と走査型電子顕微鏡の視野を一致させることに時間がかかっているため、この調整の方法を根本的に見直し、走査型電子顕微鏡内にカメラを設置するなどの方法を用いて容易に調整ができるようにすることを検討していく。
一方で、フェムト秒レーザー光の集光を緩くし、スポット径を大きくすることで、光軸調整を簡単にする方法についても検討を進めていく。
それらの調整が完了し次第、シリコンからシリコンカーバイドへと対象物質を展開していくとともに、先行研究で報告されている、表面粗さに依存したフェムト秒レーザー加工過程のメカニズムの解明などについても取り組んでいく。

Research Products

(16 results)

All 2018 2017 Other

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (13 results) (of which Int'l Joint Research: 2 results,  Invited: 1 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Low-temperature diffusion assisted by femtosecond laser-induced modifications at Ni/SiC interface2018

    • Author(s)
      Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Takuya Hashimoto, Hiroki Kawakami, Yuki Fuchikami, Hiromu Hisazawa, and Yasuhiro Tanaka
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 11 Pages: 016502 (1-4)

    • DOI

      10.7567/APEX.11.016502

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Femtosecond-laser-induced modifications on the surface of a single-crystalline diamond2017

    • Author(s)
      Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Yuki Masai, Yota Bando, and Yasuhiro Tanaka
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 56 Pages: 112701 (1-5)

    • DOI

      10.7567/JJAP.56.112701

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 走査型電子顕微鏡内でのフェムト秒レーザー光照射光学系の構築2018

    • Author(s)
      宮本 美佑, 富田 卓朗
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] ホール測定によるNi/SiC界面に形成されたフェムト秒レーザー改質層の電気特性評価2018

    • Author(s)
      川上 博貴, 直井 美貴, 富田 卓朗
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] p-GaN上オーミック電極形成のためのフェムト秒レーザー照射方法の検討2018

    • Author(s)
      片山 裕之, 川上 博貴, 今垣 諒彌, 橋本 拓哉, 山口 誠, 田中 康弘, 直井 美貴, 岡田 達也, 富田 卓朗
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] フェムト秒レーザ誘起改質を応用したNi/SiC界面における低温拡散2018

    • Author(s)
      渕上 裕暉, 橋本 拓哉, 川上 博貴, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也, 田中 康弘
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] サブミクロン厚4H-SiCにおけるラマンスペクトルの極性面依存性2018

    • Author(s)
      竹中 一将, 板東 洋太, 滝谷 悠介, 山口 誠, 田中 康弘, 中島 信一, 岡田 達也, 富田 卓朗
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] フェムト秒レーザー照射による半導体デバイス作製にむけて2018

    • Author(s)
      富田 卓朗
    • Organizer
      第十一回紀州吉宗セミナー
    • Invited
  • [Presentation] Formation of Ni ohmic electrode on SiC by femtosecond laser irradiation associated with thermal annealing2017

    • Author(s)
      Hiroki Kawakami, Yoshiki Naoi and Takuro Tomita
    • Organizer
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Annealing of Ni/Au electrode on p-GaN by femtosecond laser irradiation2017

    • Author(s)
      Hiroyuki Katayama, Yuuki Yamasaki, Hiroki Kawakami, Yoshiki Naoi and Takuro Tomita
    • Organizer
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017, We-P3, Fukuoka, Nov. 2017
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] SiCのサブミクロン厚領域におけるラマンスペクトルの数値計算2017

    • Author(s)
      竹中 一将, 板東 洋太, 滝谷 悠介, 山口 誠, 田中 康弘, 中島 信一, 岡田 達也, 富田 卓朗
    • Organizer
      第28回光物性研究会
  • [Presentation] サブミクロン厚SiCにおける極性面に依存したラマンスペクトル2017

    • Author(s)
      竹中 一将, 板東 洋太, 滝谷 悠介, 山口 誠, 田中 康弘, 中島 信一, 岡田 達也, 富田 卓朗
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会第4回講演会
  • [Presentation] フェムト秒レーザー照射により作製したSiC上Ni電極の電気特性評価2017

    • Author(s)
      川上 博貴, 直井 美貴, 富田 卓朗
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] ダイヤモンド単結晶表面へのフェムト秒レーザ照射による改質導入2017

    • Author(s)
      二村 大, 川上 博貴, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也, 田中 康弘
    • Organizer
      日本金属学会第57回中国四国支部講演大会講演概要集
  • [Presentation] ダイヤモンド単結晶表面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質2017

    • Author(s)
      二村 大, 川上 博貴, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也, 田中 康弘
    • Organizer
      2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集
  • [Remarks] 徳島大学教育研究者総覧

    • URL

      http://pub2.db.tokushima-u.ac.jp/ERD/person/82121/profile-ja.html

URL: 

Published: 2018-12-17  

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