| 研究課題/領域番号 |
19360152
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
伊藤 隆司 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20374952)
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| 研究分担者 |
小谷 光司 東北大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20250699)
黒木 伸一郎 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (70400281)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
12,220千円 (直接経費: 9,400千円、間接経費: 2,820千円)
2008年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2007年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
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| キーワード | 電子デバイス / Siナノワイヤー / 結晶配向制御 / 結晶粒 / TFT |
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| 研究概要 |
石英基板に堆積した非晶質Si膜の界面をSiO_2膜で規制した3次元配向制御結晶化を提案した。SiO_2膜の側壁と基板面で規制して結晶化させたSi膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)により, 電子移動度を従来構造TFTと比較して42%向上させることに成功した。さらに, SiO_2カバー膜を用い上面と基板面で規制し, CWレーザで結晶成長方向を〈110〉とした結晶配向制御結晶化により,(100)優先配向, 表面平坦性の改善およびバルクSiに匹敵するSiTFTの実効電子移動度を実現し, 本提案の有用性を実証した。
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