KAKEN — 研究課題をさがす | 研究者番号: 30271993

1. ３Ｃ／４Ｈヘテロエピ基板を用いた高信頼・高移動度ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ製作

研究課題

研究種目	基盤研究(C)
審査区分	小区分30010:結晶工学関連
研究機関	東北大学
研究代表者	櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2024-04-01 – 2027-03-31交付
キーワード	３Ｃ－ＳｉＣ / ４H－ＳｉＣ / 半導体ヘテロ構造 / パワーＭＯＳＦＥＴ / 界面構造制御
研究開始時の研究の概要	4H-SiC基板上へのポリタイプヘテロエピタキシャル成長技術の活用により、適度な大きさのバンドギャップ（2.4 eV）と大きな電子親和力を合わせ持つ3C-SiCを用いたMOSダイオード製作とその電気特性評価に取り組み、MOS構造における4H-SiCに対する3C-SiCの優位性を明らかにする。さらに、 ...

2. エッジ応用に向けた超低消費電力スパイキングニューラルネットワークハードウェア

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
審査区分	小区分61040:ソフトコンピューティング関連
研究機関	東北大学
研究代表者	佐藤茂雄東北大学, 電気通信研究所, 教授
研究期間 (年度)	2022-04-01 – 2025-03-31交付
キーワード	エッジコンピューティング / スパイキングニューラルネットワーク / デジアナ混在CMOS回路 / リザバーコンピューティング
研究開始時の研究の概要	本研究では、エッジ側での電力制限を満たすために脳型計算機ハードウェアの極限までの低電力化を目的として、生体を模倣したデジアナ混在スパイキングニューラルネットワークハードウェアの開発を行う。デバイスと回路を融合した革新的ハードウェアを構築し、時系列信号の認識等への応用によりその有効性を明らかにする。ま ...
研究実績の概要	本研究では、エッジ側での電力制限を満たすために、脳型計算機ハードウェアの極限までの低電力化を目的として、生体を模倣したデジアナ混在スパイキングニューラルネットワークハードウェアの開発を行う。デバイスと回路を融合した革新的ハードウェアを構築し、時系列信号の認識等への応用によりその有効性を明らかにする。 ...
現在までの達成度 (区分)	2: おおむね順調に進展している

この課題の研究成果物	国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (3件うち国際共著 1件、査読あり 3件、オープンアクセス 3件) 学会発表 (39件うち国際学会 23件、招待講演 3件)

3. Ｓｉ極薄膜における低エネルギープラズマ誘起再配列による結晶構造転換の実験的研究

研究課題

研究種目	挑戦的研究(萌芽)
審査区分	中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
研究機関	東北大学
研究代表者	櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2018-06-29 – 2020-03-31完了
キーワード	ペンタシリセン / 表面再配列 / 5員環 / ヘテロエピタキシャル薄膜 / Si / ヘテロ構造 / エピタキシャル成長 / 選択エッチング / ラマン散乱分光 / シリコン
研究成果の概要	橋脚構造によって支えられたGe／Si極薄膜／Ge(100)構造形成のために、規則的に配置された開口穴と橋脚構造の形成のためのフォトマスクセット設計・製作とともに、過酸化水素水浸漬によるGeエッチングによるSi(100)極薄膜宙づり構造製作プロセスの研究を進めた結果、開口穴の直径が広がっていく様子が観 ...

この課題の研究成果物	学会発表 (2件うち国際学会 2件、招待講演 2件)

4. サブ原子層カーボンの媒介による緩和Ge薄膜と量子ドットの選択的形成とデバイス応用

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	結晶工学
研究機関	東北大学
研究代表者	鷲尾勝由東北大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2015-04-01 – 2018-03-31完了
キーワード	ゲルマニウム / カーボン / 量子ドット / 自己組織化 / 結晶成長 / 機能融合 / 電子デバイス / 光素子
研究成果の概要	機能融合デバイスの創生を目指し、サブ原子層カーボン(C)を媒介とした、Si基板上のGe量子ドットの形成技術を検討した。C-Si反応によるSi表面再構成とCを媒介した固相成長を用い、プロセスパラメータを最適化することによってGe量子ドットを形成できることを確認した。また、2つの手法における成長モードと ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (10件うち査読あり 10件、謝辞記載あり 6件) 学会発表 (41件うち国際学会 19件)

5. サーファクタント媒介による緩和Ｇｅ薄膜結晶の形成とデバイス応用

研究課題

研究種目	基盤研究(A)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東北大学
研究代表者	鷲尾勝由東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31完了
キーワード	ゲルマニウム / カーボン / サーファクタント / 緩和 / シリコン / 機能融合 / ドット / 自己組織 / 結晶成長 / 量子ドット / 電子デバイス / 光素子 / コミュニケーション
研究成果の概要	機能融合デバイス創生を目指し、カーボン(C)をサーファクタント媒介とした、Si基板上の緩和Ge薄膜結晶の形成技術を検討した。界面Si-C結合やSi-CとGe-C結合の同時形成により、ほぼ100%緩和したGe薄膜が形成できることを実証した。さらに、Si(100)表面をSi-C結合の形成を利用してc(4 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (5件うち査読あり 5件、謝辞記載あり 4件) 学会発表 (30件)

6. IV族半導体高度歪量子ヘテロ共鳴トンネル素子の高性能化プロセス

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東北大学
研究代表者	櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2011-04-01 – 2014-03-31完了
キーワード	エピタキシャル成長 / プラズマ / 化学気相成長 / IV族半導体 / Si / Ge / SiGe混晶 / ドーピング / ヘテロ構造 / 量子デバイス / 室温動作
研究概要	基板非加熱での電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学気相成長法により、Si(100)上に平坦かつ高度歪が導入されたSiGe混晶及びGe薄膜のエピタキシャル成長が実現され、SiとGeのエピタキシャル成長における高濃度Bドーピングも可能となった。高Ge比率SiGe系ナノスケール量子ヘテロ構造製作プロセスにつ ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (13件うち査読あり 13件) 学会発表 (34件うち招待講演 5件)

7. 室温動作を可能にするIV族半導体量子デバイスの製作

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東北大学
研究代表者	櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2007 – 2009完了
キーワード	ヘテロ構造 / IV族半導体 / 量子デバイス / 室温動作 / エピタキシャル成長
研究概要	高Ge比率(0.4<x≦1)の歪Si_<1-x>Ge_x層表面へのSiキャップ層エピタキシャル成長において、低温SiH_4処理や従来のSiH_4の代わりに反応性の高いSi_2H_6を原料ガスとして用いてSi堆積を低温化・高速化させることにより、高Ge比率Si/歪Si_<1-x>Ge_x量子ヘテロ構造 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (8件うち査読あり 8件) 学会発表 (17件)

8. CVD原子層積層による高キャリア濃度・高移動度IV族半導体人工結晶の創成

研究課題

研究種目	基盤研究(A)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東北大学
研究代表者	室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授
研究期間 (年度)	2007 – 2009完了
キーワード	化学気相成長(CVD) / IV族半導体 / 原子層積層 / 原子層ドーピング / 人工結晶
研究概要	熱窒化SiGe上へのSiGe堆積によるSiGe中へのN 原子層ドーピング、並びに、歪SiGe表面に形成したP原子層上へのSi堆積の低温化・高速化によるP原子層ドーピングの超高濃度化を実現した。また、Si上へのB原子層形成とその上へのSi堆積の低温化によるB原子層ドープSiにおける超高キャリア濃度化を ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (37件うち査読あり 36件) 学会発表 (72件)

9. 非古典的ナノヘテロデバイス実現のためのヘテロ界面に関する先駆的基盤研究

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	島根大学
研究代表者	土屋敏章島根大学, 総合理工学部, 教授
研究期間 (年度)	2006 – 2008完了
キーワード	マイクロ・ナノデバイス / 半導体超微細化 / 電子デバイス・機器 / SiGe / ヘテロ界面 / チャージポンピング法 / MOS
研究概要	ポストスケーリングデバイスとして有望視されているSiGe/SiヘテロチャネルMOSデバイスにおいて,重要なチャネル部に導入されたSiGe/Siヘテロ界面について,その電気的特性を評価する手法を開発し,電気的品質やジュール熱による安定性を明らかにした.これらの結果は,非古典的ナノヘテロデバイス実現に向 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (14件うち査読あり 3件) 学会発表 (20件) 備考 (1件)

10. ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音

研究課題

研究種目	特定領域研究
審査区分	理工系
研究機関	島根大学
研究代表者	土屋敏章島根大学, 総合理工学部, 教授
研究期間 (年度)	2006 – 2009完了
キーワード	マイクロ・ナノデバイス / 半導体超微細化 / 電子デバイス・機器 / 表面・界面物性 / SiGe / ヘテロ構造 / MOS / 揺らぎ / 界面準位 / 雑音
研究概要	MOSFETのチャージポンピング特性に,ゲートパルスのオン時間に関連した過渡現象を見出し,それを利用してMOS界面準位1個1個を検出して評価する界面物性揺らぎの究極的とも言える評価手法を考案した.この手法を用いて,ナノスケールMOSFETにおける界面準位の数とキャリア捕獲率揺らぎの直接観測に成功した ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (20件うち査読あり 7件) 学会発表 (29件) 備考 (4件)

11. IV族系量子デバイス製作のための原子層制御プラズマプロセスの構築

研究課題

研究種目	特定領域研究
審査区分	理工系
研究機関	東北大学
研究代表者	櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2006 – 2009完了
キーワード	量子へテロ構造 / プラズマ / エピタキシャル成長 / 原子層制御 / IV族半導体 / 量子ヘテロ構造
研究概要	基板非加熱ECR Arプラズマ照射下での原料ガスの表面反応により、原子オーダ平坦性を有するナノメートルオーダ厚さの高度歪Ge形成、並びに、高度歪SiやB原子層ドープSiの形成に成功した。そして、IV族エピタキシャル成長におけるプラズマの低エネルギー化の推進は、Arプラズマ照射によるプラズマ損傷やB還 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (25件うち査読あり 18件) 学会発表 (47件) 備考 (1件)

12. IV族半導体原子層制御による電子帯変調と量子トンネル構造形成

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東北大学
研究代表者	櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 助教授
研究期間 (年度)	2004 – 2006完了
キーワード	IV族半導体 / 原子層制御 / 電子帯変調 / 量子効果 / 共鳴トンネル / 量子トンネル構造 / エピタキシャル成長 / CVD / 局所歪
研究概要	本研究では、原子層制御法を用いて、IV族半導体結晶中への異種元素原子層の導入をおこない、電子帯変調を調べるとともに共鳴トンネルダイオード等の量子トンネル構造を形成し、その電気・光学特性評価結果から量子トンネル構造中でのキャリア輸送・生成・再結合過程を解明し、電子帯変調による新規半導体物性の創生を行う ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (100件)

13. IV族半導体原子層積層ヘテロ人工結晶の創成

研究課題

研究種目	基盤研究(A)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東北大学
研究代表者	室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授
研究期間 (年度)	2003 – 2005完了
キーワード	IV族半導体 / ヘテロ構造 / 原子層積層 / 人工結晶 / CVD / エピタキシャル成長 / SiGeC / 立体加工 / MBE
研究概要	申請者らが培ってきたCVDにおけるラングミュア型吸着・反応制御技術を駆使して、Si, Ge, C等の異種(ヘテロ)元素を一層ずつ任意に積層するヘテロ積層技術を開発し、これを駆使した新しいIV族半導体原子層積層ヘテロ人工結晶を創成し、その新規物性を明らかにすることを目的として研究を行った。SiGe系I ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (95件) 文献書誌 (12件)

14. 超高キャリア濃度半導体構造を用いた超低抵抗金属/半導体接合の形成

研究課題

研究種目	基盤研究(A)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東北大学
研究代表者	室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授
研究期間 (年度)	2001 – 2003完了
キーワード	IV族半導体 / 不純物ドーピング / 原子層 / 金属 / 半導体接触抵抗 / CVD / SiGeC / P / B / IV族半導体結晶 / CDV
研究概要	本基盤研究では、申請者らの開発してきた高清浄減圧CVD技術を駆使して、SiGeC系IV族半導体ヘテロ構造中にBやP等の不純物を超高濃度かつ局所的に原子層ドープした積層構造を形成し、各種の金属/半導体接触を製作することにより、超低抵抗接触を実現するための最適構造を実現することを目的として研究を行い、以 ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (185件)

15. Si-Ge-C-N系原子層積層による共鳴トンネルダイオードの製作

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東北大学
研究代表者	櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 助教授
研究期間 (年度)	2000 – 2002完了
キーワード	Si / Ge / C / N / 原子層 / 共鳴トンネルダイオード / ヘテロ構造 / CVD / テヘロ構造
研究概要	本研究では、Si中に任意の周期でGe, C, Nの各原子層を配列し、共鳴トンネルダイオードに適用することにより、通常の不規則混晶材料では見られない新規物性の発現を制御・観測することを目指して研究を行なった。原子層周期ヘテロ構造を形成する研究を進めた結果、Ge(100)表面にSiH_3CH_3を導入す ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (112件)

16. Si-Ge系エピタキシャル成長による超高濃度不純物半導体の形成とその物性

研究課題

研究種目	萌芽的研究
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東北大学
研究代表者	室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授
研究期間 (年度)	1999 – 2000完了
キーワード	ドーピング / エピタキシャル / シリコン / ゲルマニウム / リン / ボロン / ラングミュア型 / 原子層 / ヘテロデバイス
研究概要	高性能超微細ヘテロデバイスを実現するために、高品質Si-Ge系ヘテロエピタキシャル薄膜の膜厚や不純物ドーピング濃度の精密な制御、不純物の拡散抑制と同時に、電極との超低抵抗コンタクトのために超高濃度ドーピングが不可欠である。平成11年度までに高清浄CVDを用いたSi-Ge系薄膜へのP及びBのin-si ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (25件)

17. 高集積通信システム製作のためのSiGe系MOS-HBT技術の開発

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子デバイス・機器工学
研究機関	東北大学
研究代表者	室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授
研究期間 (年度)	1999 – 2001完了
キーワード	SiGe / MOS / HBT / CVD低温選択成長 / in-situ不純物ドーピング / SiGeC / 不純物拡散 / 高選択異方性エッチング
研究概要	本基盤研究は、低電圧・低消費電力・超高速・大容量移動体通信システムの実現のため、SiGe系のMOSとHBTを集積した、新しい低電圧・低消費電力・超高速・大容量移動体通信用システムオンチップの製作技術を開発することを目的として、ドイツ半導体物理学研究所研究チームとの国際学術研究として3年計画で推進して ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (208件)

18. 人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御

研究課題

研究種目	特定領域研究
審査区分	理工系
研究機関	東京大学
研究代表者	白木靖寛東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授
研究期間 (年度)	1999 – 2003完了
キーワード	人工IV族半導体 / シリコンゲルマニウム / 光エレクトロニクス / 電子物性 / 光物性 / 電界効果型トランジスタ / 電界効果型トランジス / 発光ダイオード / CMP / 低温Si層 / SiGe / 変調ドーピング / 電界効果トランジスタ / 島状成長 / 自己触媒 / リン吸着デジタル制御 / 初期酸化
研究概要	平成15年度の研究成果は、大きく分けて次の3つの項目に分けられる。(1)良質な緩和SiGe疑似基板作製に関する研究、(2)歪みSiおよびGeチャネルトランジスタの試作と評価、(3)SiGe量子構造の発光特性の評価、(4)Si中のN原子原子層ドーピング、である。(1)においては、イオン打ちこみを行った ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (32件)

19. Si系アモルファス絶縁薄膜の表面構造敏感エッチングと原子制御

研究課題

研究種目	萌芽的研究
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東北大学
研究代表者	松浦孝東北大学, 電気通信研究所, 助教授
研究期間 (年度)	1998完了
キーワード	原子層エッチング / ECRプラズマ / Si窒化膜 / 励起水素 / Arイオン照射 / 表面吸着・反応 / 高清浄雰囲気 / XPS
研究概要	本萌芽研究では、Si系アモルファス絶縁膜の原子層エッチングを表面構造に敏感な形で実現し、その反応過程を基礎的に解明することを目指して研究を行った。高清浄ECRプラズマ装置を用い、まず、結晶性のSiやGeで実現した塩素ラジカルの吸着とArイオン照射を交互に繰り返す方法による原子層エッチング法を試み、ア ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (8件)

20. IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究

研究課題

研究種目	特定領域研究(A)
研究機関	東北大学
研究代表者	室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授
研究期間 (年度)	1998完了
キーワード	ラングミュア吸着・反応 / IV族半導体 / 極微細デバイス / 原子層成長 / 原子層エッチング / ドーピング / 水素終端 / 低温ヘテロエピタキシャル成長
研究概要	本特定領域研究では、原子層成長・エッチング法をはじめとするラングミュア吸着・反応の制御プロセス技術を駆使して、IV族半導体極微構造を形成する原子制御プロセス技術を開拓することを目指して、その基礎から応用まで広く研究を行った。表面吸着・反応制御については、SiとGeの一原子層ずつの成長、Si表面のNH ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (20件)

研究期間 (開始年度)

1. ３Ｃ／４Ｈヘテロエピ基板を用いた高信頼・高移動度ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ製作 研究課題

櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授

2. エッジ応用に向けた超低消費電力スパイキングニューラルネットワークハードウェア 研究課題

佐藤 茂雄 東北大学, 電気通信研究所, 教授

3. Ｓｉ極薄膜における低エネルギープラズマ誘起再配列による結晶構造転換の実験的研究 研究課題

櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授

4. サブ原子層カーボンの媒介による緩和Ge薄膜と量子ドットの選択的形成とデバイス応用 研究課題

鷲尾 勝由 東北大学, 工学研究科, 教授

5. サーファクタント媒介による緩和Ｇｅ薄膜結晶の形成とデバイス応用 研究課題

鷲尾 勝由 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授

6. IV族半導体高度歪量子ヘテロ共鳴トンネル素子の高性能化プロセス 研究課題

櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授

7. 室温動作を可能にするIV族半導体量子デバイスの製作 研究課題

櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授

8. CVD原子層積層による高キャリア濃度・高移動度IV族半導体人工結晶の創成 研究課題

室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授

9. 非古典的ナノヘテロデバイス実現のためのヘテロ界面に関する先駆的基盤研究 研究課題

土屋 敏章 島根大学, 総合理工学部, 教授

10. ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音 研究課題

土屋 敏章 島根大学, 総合理工学部, 教授

11. IV族系量子デバイス製作のための原子層制御プラズマプロセスの構築 研究課題

櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授

12. IV族半導体原子層制御による電子帯変調と量子トンネル構造形成 研究課題

櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 助教授

13. IV族半導体原子層積層ヘテロ人工結晶の創成 研究課題

室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授

14. 超高キャリア濃度半導体構造を用いた超低抵抗金属/半導体接合の形成 研究課題

室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授

15. Si-Ge-C-N系原子層積層による共鳴トンネルダイオードの製作 研究課題

櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 助教授

16. Si-Ge系エピタキシャル成長による超高濃度不純物半導体の形成とその物性 研究課題

室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授

17. 高集積通信システム製作のためのSiGe系MOS-HBT技術の開発 研究課題

室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授

18. 人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御 研究課題

白木 靖寛 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授

19. Si系アモルファス絶縁薄膜の表面構造敏感エッチングと原子制御 研究課題

松浦 孝 東北大学, 電気通信研究所, 助教授

20. IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究 研究課題

室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授

1. ３Ｃ／４Ｈヘテロエピ基板を用いた高信頼・高移動度ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ製作

研究課題

櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 准教授

2. エッジ応用に向けた超低消費電力スパイキングニューラルネットワークハードウェア

研究課題

佐藤茂雄東北大学, 電気通信研究所, 教授

3. Ｓｉ極薄膜における低エネルギープラズマ誘起再配列による結晶構造転換の実験的研究

研究課題

櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 准教授

4. サブ原子層カーボンの媒介による緩和Ge薄膜と量子ドットの選択的形成とデバイス応用

研究課題

鷲尾勝由東北大学, 工学研究科, 教授

5. サーファクタント媒介による緩和Ｇｅ薄膜結晶の形成とデバイス応用

研究課題

鷲尾勝由東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授

6. IV族半導体高度歪量子ヘテロ共鳴トンネル素子の高性能化プロセス

研究課題

櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 准教授

7. 室温動作を可能にするIV族半導体量子デバイスの製作

研究課題

櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 准教授

8. CVD原子層積層による高キャリア濃度・高移動度IV族半導体人工結晶の創成

研究課題

室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授

9. 非古典的ナノヘテロデバイス実現のためのヘテロ界面に関する先駆的基盤研究

研究課題

土屋敏章島根大学, 総合理工学部, 教授

10. ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音

研究課題

土屋敏章島根大学, 総合理工学部, 教授

11. IV族系量子デバイス製作のための原子層制御プラズマプロセスの構築

研究課題

櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 准教授

12. IV族半導体原子層制御による電子帯変調と量子トンネル構造形成

研究課題

櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 助教授

13. IV族半導体原子層積層ヘテロ人工結晶の創成

研究課題

室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授

14. 超高キャリア濃度半導体構造を用いた超低抵抗金属/半導体接合の形成

研究課題

室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授

15. Si-Ge-C-N系原子層積層による共鳴トンネルダイオードの製作

研究課題

櫻庭政夫東北大学, 電気通信研究所, 助教授

16. Si-Ge系エピタキシャル成長による超高濃度不純物半導体の形成とその物性

研究課題

室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授

17. 高集積通信システム製作のためのSiGe系MOS-HBT技術の開発

研究課題

室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授

18. 人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御

研究課題

白木靖寛東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授

19. Si系アモルファス絶縁薄膜の表面構造敏感エッチングと原子制御

研究課題

松浦孝東北大学, 電気通信研究所, 助教授

20. IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究

研究課題

室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授