Fabrication and characterization of normally-off GaN HEMTs
Project/Area Number |
18206041
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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Research Institution | Nagoya University |
Principal Investigator |
MIZUTANI Takashi Nagoya University, 大学院・工学研究科, 教授 (70273290)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
KISHIMOTO Shigeru 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10186215)
OSAKA Jiro 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20377849)
(MASAHITO Kurouchi 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 研究員 (10452187)
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Project Period (FY) |
2006 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥50,700,000 (Direct Cost: ¥39,000,000、Indirect Cost: ¥11,700,000)
Fiscal Year 2008: ¥5,070,000 (Direct Cost: ¥3,900,000、Indirect Cost: ¥1,170,000)
Fiscal Year 2007: ¥8,320,000 (Direct Cost: ¥6,400,000、Indirect Cost: ¥1,920,000)
Fiscal Year 2006: ¥37,310,000 (Direct Cost: ¥28,700,000、Indirect Cost: ¥8,610,000)
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Keywords | GaN / HEMT、ノーマリオフ、MOSFET / InGaN cap / ひずみ分極 / ノーマリオフ / GaN HEMT / Mgドーピング / MOSFET / HfO_2 / 高耐圧 / HEMT / フッ素プラズマ処理 / ひずみ電界 / しきい値電圧シフト / 電流DLTS |
Research Abstract |
本研究では、開発の期待が高い高性能ノーマリオフ型GaN FETの課題を解決する方法として、InGaN cap層導入によるひずみ分極制御AlGaN/GaN HEMT、および高誘電率を有するHfO_2をゲート絶縁膜とするGaN MOSFET, AlGaN/GaN MOSFETを提案した。さらにデバイス試作により本提案の有効性を示すとともに、しきい値がおのおの1.1V, 3Vのノーマリオフ動作を実現し、また高い電流駆動能力を実証した。
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Report
(4 results)
Research Products
(20 results)