Studies on epitaxial growth of GaAsN by controlling the surface steps
| Project/Area Number |
18560017
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Toyota Technological Institute |
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Principal Investigator |
OHSHITA Yoshio Toyota Technological Institute, 大学院・工学研究科, 准教授 (10329849)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,100,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 2008: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,500,000 (Direct Cost: ¥1,500,000)
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| Keywords | 電子デバイス / 電子・電気材料 / 半導体物性 / 結晶成長 / 太陽電池 |
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| Research Abstract |
将来の高効率太陽電池実現のために必要な材料であるInGaNAs系材料の高品質化を目的として研究を行った.結晶成長中における表面反応の制御、具体的には、ステップ密度やステップ端原子などを制御する、あるいは、ガス供給の仕方の(断続供給など)や光照射による表面での成膜種の拡散を促進することが、結晶中の不純物濃度低減ならびに窒素起因の欠陥濃度の減少に有効であることが明らかになり、結晶の高品質化が可能となった.
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Report
(4 results)
Research Products
(11 results)
