| Project/Area Number |
18560679
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Structural/Functional materials
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| Research Institution | Toyo University |
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Principal Investigator |
HANAJIRI Tatsuro Toyo University, 工学部, 教授 (30266994)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
TOYABE Toru 東洋大学, 工学部, 教授 (20266993)
KASHIWAGI Kunihiro 東洋大学, 工学部, 教授 (30058094)
MORIKAWA Takitaro 東洋大学, 工学部, 教授 (80191013)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥2,320,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2008: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2006: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
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| Keywords | 新機能材料 / MOSFET / SOI / SOQ / SOI基板 / SOQ基板 / SIMOX基板 / BOX(Buried Oxide) / キャリア捕獲中心 / SOI MOSFET / SOQ MOSFET / サブスレッドショルド係数 |
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| Research Abstract |
SOQ 基板(silicon on quartz)の有用性ついて、基板の基礎物性評価から、デバイスの試作に至るまで様々な視点からの検証を試みた。SOQ MOSFET試作の準備段階として、まずSOQ 基板の代替としてSOI基板を用いて、基板におけるナノオーダー級超薄膜の基礎物性評価方法を確立した。SOI/BOX(Buried Oxide、埋込み酸化膜)界面近傍において高密度のキャリア捕獲中心の定量的に評価することに初めて成功した。さらにSOQ基板の応用分野としてエレクトロニクスに留まらずμ-TAS(micro- total-analysis system)のプラットフォームとしての有用性について提案した。
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