| Project/Area Number |
19360151
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
SUGAWA Shigetoshi Tohoku University, 大学院・工学研究科, 教授 (70321974)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥18,980,000 (Direct Cost: ¥14,600,000、Indirect Cost: ¥4,380,000)
Fiscal Year 2008: ¥5,850,000 (Direct Cost: ¥4,500,000、Indirect Cost: ¥1,350,000)
Fiscal Year 2007: ¥13,130,000 (Direct Cost: ¥10,100,000、Indirect Cost: ¥3,030,000)
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| Keywords | 電子デバイス / 集積回路 / イメージセンサ / 雷子デバイス |
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| Research Abstract |
横型オーバーフロー蓄積容量構造を画素内に設け, 画素内の光電変換部のPN接合構造, 絶縁膜界面, 素子分離界面, コンタクトシリサイド界面等の最適化を図り, 垂直走査回路, 水平走査回路, 雑音除去回路設計を改善したイメージセンサチップを設計, 試作した. その結果, 課題であった感度向上とダイナミックレンジ拡大のトレードオフを解消し, 暗時性能を1桁以上向上させた撮像技術の基礎を築くことができた.
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