Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
従来のCMOS技術の延長では実現不可能であるナノメートル領域で動作する新しいトンネル注入制御ゲルマニウムナノデバイスを提案し、キーテクノロジである高純度ゲルマニウム層の作製技術を確立した。また、高透磁率金属ナノドットを有する高周波動作用インダクタの作製に成功した。キャリア伝導メカニズムの実験的解析法として、超高周波領域で測定した散乱パラメータ(Sパラメータ)を用いたキャリアの反射/透過現象のモデル化手法を確立した。
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Japanese Journal of Applied Physics C157-1C157-4
Japanese Journal of Applied Physics 48
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104
Japanese Journal of Applied Physics 104
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