High-Density New Two-Terminal Resistive Nonvolatile MemoryUsing Silicon Carbide

• Project/Area Number: 19360156
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Electron device/Electronic equipment
• Research Institution: Tokyo University of Agriculture and Technology
• Principal Investigator: SUDA Yoshiyuki Tokyo University of Agriculture and Technology, 大学院・共生科学技術研究院, 教授 (10226582)
• Project Period (FY): 2007 – 2008
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2008)
• Budget Amount: ¥17,030,000 (Direct Cost: ¥13,100,000、Indirect Cost: ¥3,930,000); Fiscal Year 2008: ¥5,070,000 (Direct Cost: ¥3,900,000、Indirect Cost: ¥1,170,000); Fiscal Year 2007: ¥11,960,000 (Direct Cost: ¥9,200,000、Indirect Cost: ¥2,760,000)
• Keywords: 集積回路 / 半導体メモリ / シリコンカーバイド / 不揮発性メモリ / RRAM / 抵抗変化型ランダムアクセスメモリ / 不揮発性RAM / MIS / 3C-SiC / 抵抗変化型RAM / 酸化膜 / 電子トラップ / フラッシュメモリ

Research Abstract

世界で初めて考案した全く新しい構造と新しい動作原理に基づくシリコンカーバイトを用いた高密度化が可能な二端子構造の抵抗変化型不揮発性メモリ(RRAM)について、構造と基本作製プロセスと基本特性との相関を明確にした。また、本メモリを集積回路として構成するための現行製造プロセス温度と整合する低温作製プロセスを提示した。これらの結果から本メモリの次世代の集積化不揮発性メモリとしての展開が期待される。

Research Products

• [Journal Article] SiO_x/3C-SiC/Si MIS Nonvolatile Resistance Memory (2008)
  • Author(s): Y. Suda, M. Shouji, and K. TAKADA
  • Journal Title: Appl. Phys. Express vol.1 Pages: 714011-714013
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] 3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子 (2008)
  • Author(s): 須田良幸
  • Journal Title: vol.77 Pages: 1107-1110
  • NAID: 10024192381
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Si0/3C-SiC/Si MIS Nonvolatile Resistance Memory (2008)
  • Author(s): Y. Suda, M. Shouji, K. Takada
  • Journal Title: Applied Physics Express 1
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] 3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子 (2008)
  • Author(s): 須田良幸
  • Journal Title: 応用物理 77 Pages: 11071110-11071110
  • NAID: 10024192381
  • Peer Reviewed
• [Presentation] SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si (001)Nonvolatile Resistance Memory Formedwith One-Stage Oxidation Process (2008)
  • Author(s): Y. Yamaguchi, H. Hasegawa, Y. Suda
  • Organizer: 214th ECS Meeting (PRiME 2008)
  • Place of Presentation: Hawaii
  • Year and Date: 2008-10-15
• [Presentation] SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS不揮発性抵抗変化型メモリの一段酸化形成技術 (2008)
  • Author(s): 山口祐一郎,長谷川宏巳,須田良幸
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 愛知県春日井市
  • Year and Date: 2008-10-03
• [Presentation] SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)Nonvolatile Resistance Memory Formed with One-Stage Oxidation Process (2008)
  • Author(s): Y. Yamaguchi, H. Hasegawa, and Y. Suda
  • Organizer: 214th ECS meeting
  • Place of Presentation: Hawaii
• [Presentation] SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS不揮発性抵抗変化型メモリの一段酸化形成技術 (2008)
  • Author(s): 山口祐一郎、長谷川宏巳、須田良幸
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 春日井
• [Remarks]
  • URL: http://www.tuat.ac.jp/?boss
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体メモリ装置, 及びその製造方法 (2009)
  • Inventor(s): 須田良幸、野村彬成
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大学
  • Industrial Property Number: 2009-061883
  • Filing Date: 2009-03-13
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体メモリ装置、及びその製造方法 (2009)
  • Inventor(s): 須田良幸野村彬成
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大
  • Filing Date: 2009-03-13
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体メモリ装置 (2008)
  • Inventor(s): 須田良幸、太田豊
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大学, 三洋半導体
  • Filing Date: 2008-09-08
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体メモリ装置 (2008)
  • Inventor(s): 須田良幸、太田豊
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大学, 三洋半導体
  • Filing Date: 2008-09-08
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] SiC不揮発性メモリの製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 須田良幸、山口祐一郎
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大学
  • Industrial Property Number: 2008-215746
  • Filing Date: 2008-08-25
• [Patent(Industrial Property Rights)] SiC不揮発性メモリの製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 須田良幸山口祐一郎
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大
  • Filing Date: 2008-08-25
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体メモリ装置 (2008)
  • Inventor(s): 須田良幸太田
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大三洋半導体
  • Filing Date: 2008-09-08
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体メモリ装置 (2008)
  • Inventor(s): 須田良幸太田豊
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大三洋半導体
  • Filing Date: 2008-09-08
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体メモリ装置 (2007)
  • Inventor(s): 須田良幸、太田豊
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大学, 三洋半導体
  • Industrial Property Number: 2007-310662
  • Filing Date: 2007-11-30
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体メモリ装置 (2007)
  • Inventor(s): 須田良幸、太田豊
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大学, 三洋半導体
  • Industrial Property Number: 2007-310663
  • Filing Date: 2007-11-30
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体メモリ装置 (2007)
  • Inventor(s): 須田良幸, 大田豊
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大三洋半導体
  • Industrial Property Number: 2007-310662
  • Filing Date: 2007-11-30
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体メモリ装置 (2007)
  • Inventor(s): 須田良幸, 大田豊
  • Industrial Property Rights Holder: 東京農工大三洋半導体
  • Industrial Property Number: 2007-310663
  • Filing Date: 2007-11-30