High-Density New Two-Terminal Resistive Nonvolatile MemoryUsing Silicon Carbide
| Project/Area Number |
19360156
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Tokyo University of Agriculture and Technology |
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Principal Investigator |
SUDA Yoshiyuki Tokyo University of Agriculture and Technology, 大学院・共生科学技術研究院, 教授 (10226582)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥17,030,000 (Direct Cost: ¥13,100,000、Indirect Cost: ¥3,930,000)
Fiscal Year 2008: ¥5,070,000 (Direct Cost: ¥3,900,000、Indirect Cost: ¥1,170,000)
Fiscal Year 2007: ¥11,960,000 (Direct Cost: ¥9,200,000、Indirect Cost: ¥2,760,000)
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| Keywords | 集積回路 / 半導体メモリ / シリコンカーバイド / 不揮発性メモリ / RRAM / 抵抗変化型ランダムアクセスメモリ / 不揮発性RAM / MIS / 3C-SiC / 抵抗変化型RAM / 酸化膜 / 電子トラップ / フラッシュメモリ |
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| Research Abstract |
世界で初めて考案した全く新しい構造と新しい動作原理に基づくシリコンカーバイトを用いた高密度化が可能な二端子構造の抵抗変化型不揮発性メモリ(RRAM)について、構造と基本作製プロセスと基本特性との相関を明確にした。また、本メモリを集積回路として構成するための現行製造プロセス温度と整合する低温作製プロセスを提示した。これらの結果から本メモリの次世代の集積化不揮発性メモリとしての展開が期待される。
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Report
(3 results)
Research Products
(21 results)
