Nano-structure devices fabricated by precise position and growth control of carbon nanotubes
| Project/Area Number |
19360160
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
NAKAMOTO Masayuki Shizuoka University, 電子工学研究所, 教授 (10377723)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
GOTOH Yasuhito 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (00225666)
HATAKEYAMA Rikizo 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00108474)
SUZUKI Sinzo 京都産業大学, 理学部, 准教授 (10226516)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
MOON Jonghyun 静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (30514947)
KATO Toshiaki 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (20502082)
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| Research Collaborator |
TULLER Harry 米国マサチューセッツ工科大学(MIT), 工学研究科, 教授
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| Project Period (FY) |
2007 – 2009
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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| Budget Amount *help |
¥18,330,000 (Direct Cost: ¥14,100,000、Indirect Cost: ¥4,230,000)
Fiscal Year 2009: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000)
Fiscal Year 2008: ¥6,760,000 (Direct Cost: ¥5,200,000、Indirect Cost: ¥1,560,000)
Fiscal Year 2007: ¥8,710,000 (Direct Cost: ¥6,700,000、Indirect Cost: ¥2,010,000)
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| Keywords | カーボンナノチューブ / NEMS / 微小電子源 / 真空ナノエレクトロニクス / ディスプレイ / FED / 電界放出電子源 / 真空ナノパワースイッチングデバイス / CNT |
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| Research Abstract |
エミッタ材料選択性が極めて高く、先鋭で均一なエミッタ作製法である独自の転写モールド法とカーボンナノチューブ(CNT)作製技術との融合により、CNTをエミッタ先端のNi触媒部分に成長させ、従来のアスペクト比0.71、Turn-on電界14.9V/μmと比較して、アスペクト比0.93、12.5V/μmと、それぞれ、31%及び16%も向上した超精密位置・成長制御された転写モールド法CNT微小電子源の開発に成功した。
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Report
(4 results)
Research Products
(157 results)
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[Journal Article]2010
Author(s)
Masayuki Nakamoto
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Journal Title
Display Materials and Functional Dyes(CMC Publishing Inc.)
Pages: 191-225
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[Presentation] A simple process of growing vertically aligned carbon nanotube emitter on metal foil for X-ray source2009
Author(s)
Je Hwang Ryu, Han Eol Lim, Byoung Taek Son, Na Young Bae, Hye Mi Oh, Il Ok Jeong, Jong Uk Kim, Masayuki Nakamoto, Jin Jang, Kyu Chang Park
Organizer
The 22nd International Vacuum Nanoelectronics Conference
Place of Presentation
Hamamatsu, Japan
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