| Project/Area Number |
19360160
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
NAKAMOTO Masayuki Shizuoka University, 電子工学研究所, 教授 (10377723)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
GOTOH Yasuhito 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (00225666)
HATAKEYAMA Rikizo 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00108474)
SUZUKI Sinzo 京都産業大学, 理学部, 准教授 (10226516)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
MOON Jonghyun 静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (30514947)
KATO Toshiaki 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (20502082)
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| Research Collaborator |
TULLER Harry 米国マサチューセッツ工科大学(MIT), 工学研究科, 教授
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| Project Period (FY) |
2007 – 2009
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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| Budget Amount *help |
¥18,330,000 (Direct Cost: ¥14,100,000、Indirect Cost: ¥4,230,000)
Fiscal Year 2009: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000)
Fiscal Year 2008: ¥6,760,000 (Direct Cost: ¥5,200,000、Indirect Cost: ¥1,560,000)
Fiscal Year 2007: ¥8,710,000 (Direct Cost: ¥6,700,000、Indirect Cost: ¥2,010,000)
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| Keywords | カーボンナノチューブ / NEMS / 微小電子源 / 真空ナノエレクトロニクス / ディスプレイ / FED / 電界放出電子源 / 真空ナノパワースイッチングデバイス / CNT |
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| Research Abstract |
エミッタ材料選択性が極めて高く、先鋭で均一なエミッタ作製法である独自の転写モールド法とカーボンナノチューブ(CNT)作製技術との融合により、CNTをエミッタ先端のNi触媒部分に成長させ、従来のアスペクト比0.71、Turn-on電界14.9V/μmと比較して、アスペクト比0.93、12.5V/μmと、それぞれ、31%及び16%も向上した超精密位置・成長制御された転写モールド法CNT微小電子源の開発に成功した。
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