Research on shallow junction formation and isolation for Ge channel devices
| Project/Area Number |
19560344
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
SHIBAHARA Kentaro Hiroshima University, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (50274139)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
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| Keywords | ゲルマニウム / プレアモルファス化 / 浅接合 / 淺接合 / キセノン / ゲルマニュウム |
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| Research Abstract |
Xe及びGeを用いたPAI(プレアモルファス化注入)をAs注入と併用し、Geの浅接合形成を行った。いずれの場合も、PAIの併用によりAs拡散を抑制することができたが、Asの活性化の悪化に伴うと思われるシート抵抗の上昇が見られた。Xeフラッシュランプを用いたミリ秒オーダの短パルスアニールを施すと、PAIを用いた場合は固相成長が大幅に遅くなることが見いだされた。一方、フラッシュランプによるミリ秒アニールは拡散抑制に有効であり、活性化も良好で、浅接合形成に適していた。
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Report
(3 results)
Research Products
(9 results)
