| Project/Area Number |
19760244
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
IDE Toshihide National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ, 研究員 (90397092)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,610,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2008: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,700,000 (Direct Cost: ¥2,700,000)
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| Keywords | GaN / AlGaN / トランジスタ / ノーマリーオフ / 短ゲート長化 / オン抵抗 / AIGaN / 電子デバイス・機器 / 半導体超微細化 |
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| Research Abstract |
GaN トランジスタのノーマリーオフ化,低オン抵抗化を微細加工技術の導入により実現した.ノーマリーオフ化はゲートリセス構造を用いることでしきい値電圧+0.5V を実現した.低オン抵抗化についてはゲート長等の素子寸法を短縮することで0.1mΩ・cm2 を実現した.またこれらを両立するゲート構造を提案し電磁界解析,実験ともに実証した.
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