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Investigation of process technology for nitride semiconductor based integrated circuits for harsh environment electronics

Research Project

Project/Area Number 20K04579
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Review Section Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research InstitutionToyohashi University of Technology

Principal Investigator

OKADA Hiroshi  豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30324495)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 橋詰 保  北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 特任教授 (80149898)
Project Period (FY) 2020-04-01 – 2023-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2022)
Budget Amount *help
¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000)
Fiscal Year 2022: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2021: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2020: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Keywords窒化物半導体 / 電子デバイス / 集積回路 / 過酷環境エレクトロニクス / 集積回路技術 / プロセス技術 / 絶縁膜形成技術 / 窒化物半導体デバイス / モノリシック集積回路 / 電極形成 / 絶縁膜堆積技術 / 素子分離技術 / 絶縁膜体積技術
Outline of Research at the Start

広いバンドギャップや高い電子移動度などの特性を有し、高温など過酷環境動作に有利な特性をもつ窒化物半導体 (GaN) においても、イオン注入技術など集積回路技術が開拓されれば、オールGaNのモノリシック集積回路による過酷環境エレクトロニクスが拓ける。 本研究では、GaN集積回路のためのイオン注入技術や、独自開発した絶縁体/半導体界面形成技術を用いた GaN集積回路の開発に取り組み、高温下などでも安定動作する GaN集積回路実現のベンチマークとなる特性評価データを取得する。こうした研究により、安全安心な社会や、持続可能社会の実現に貢献できる技術・知見を社会に還元する。

Outline of Final Research Achievements

Nitride semiconductor electronic devices technology for harsh environment application have been investigated. We investigated the formation of insulating films on nitride semiconductors using atomic species enhanced chemical vapor deposition technique proposed by our group, and evaluated the reduction of leakage current and interface characteristics. Low leakage current of less than 10^-9 A/cm2 at an electric field of 3MV/cm could be obtained with good reproducibility by applying post-deposition annealing. It is proved that this technique is available for nitrides by demonstration of insulated gate type nitride semiconductor transistor at elevated temperature. We also investigated ohmic electrode formation and device isolation technology, and obtained knowledge for integrated circuit applications. We designed a new nitride semiconductor integrated circuit by combining our knowledge with silicon-based integrated circuit technology, and conducted a proof-of-principle experiment.

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

窒化物半導体電子デバイスはパワーエレクトロニクス分野で注目され、情報機器などのACアダプタの小型化などで社会に浸透しつつある。これは窒化物半導体の優れた電気的性質を反映したものであるが、放熱機構を簡略化し、ある程度の高温動作を許容する設計になっていることも大きい。窒化物半導体の集積回路技術の検討は着手されたばかりであるが、本研究で開発した絶縁膜形成技術や設計技術は、これまでに不可能であった高温環境など実際の過酷環境にエレクトロニクスが展開につながる大きな学術的な意義がある。この成果は先に述べたようなエレクトロニクス製品の高効率電力制御など性能向上を可能とするものであり、社会的意義も大きい。

Report

(4 results)
  • 2022 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2021 Research-status Report
  • 2020 Research-status Report
  • Research Products

    (10 results)

All 2023 2022 2021 2020

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 1 results,  Open Access: 1 results) Presentation (7 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Invited: 1 results)

  • [Journal Article] AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタの集積化に向けた 素子分離技術の検討2023

    • Author(s)
      赤松龍弥、秋良芳樹、岡田浩
    • Journal Title

      電子情報通信学会技術報告

      Volume: SDM2023-25 Pages: 32-35

    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Journal Article] AlGaN/GaNヘテ ロ構造の TiAl 系オーミック電極の基礎的検討2022

    • Author(s)
      吹中茉生、秋良芳樹、岡田浩
    • Journal Title

      電子情報通信学会技術報告

      Volume: SDM2022-23 122 Pages: 39-42

    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Journal Article] Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures2020

    • Author(s)
      Sato Shin-ichiro、Deki Manato、Nishimura Tomoaki、Okada Hiroshi、Watanabe Hirotaka、Nitta Shugo、Honda Yoshio、Amano Hiroshi、Ohshima Takeshi
    • Journal Title

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

      Volume: 479 Pages: 7-12

    • DOI

      10.1016/j.nimb.2020.06.007

    • Related Report
      2020 Research-status Report
    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Presentation] 小型アクチュエータ駆動のための窒化物半導体集積回路の検討2023

    • Author(s)
      秋良芳樹、赤松龍弥、真下智昭、岡田浩
    • Organizer
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Presentation] 基底状態原子支援化学気相堆積 法によるシリコン酸化膜の形成及び評価(2)2023

    • Author(s)
      山形 翔, 尾内 亮太, 鹿田 颯吾, 古川 雅一, 若原 昭浩, 岡田 浩
    • Organizer
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Presentation] 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシ リコン酸化膜の形成及び評価2022

    • Author(s)
      尾内亮太,山形翔,古川雅一,若原昭浩,岡田 浩
    • Organizer
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Presentation] Study of Ti/Al/Ti/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures2022

    • Author(s)
      H. Okada, M. Fukinaka, and Y. Akira
    • Organizer
      14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] AlGaN/GaNヘテ ロ構造の TiAl 系オーミック電極の基礎的検討2022

    • Author(s)
      吹中茉生、秋良芳樹、岡田浩
    • Organizer
      電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Presentation] 窒化物半導体電子デバイスのプロセス開発と応用2021

    • Author(s)
      岡田 浩
    • Organizer
      第76回 CVD研究会
    • Related Report
      2021 Research-status Report
    • Invited
  • [Presentation] AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたモノリシック集積回路の検討2021

    • Author(s)
      川内 智瑛、吹中 茉生、真下 智昭、岡田 浩
    • Organizer
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2020 Research-status Report

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Published: 2020-04-28   Modified: 2024-01-30  

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