固液界面における“優先占有面”を活用した混晶半導体の単結晶育成

Research Project

Project/Area Number	20K15070
Research Category	Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Basic Section 26060:Metals production and resources production-related
Research Institution	Tohoku University
Principal Investigator	志賀敬次東北大学, 金属材料研究所, 助教 (30803150)
Project Period (FY)	2020-04-01 – 2023-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2020)
Budget Amount *help	¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000) Fiscal Year 2022: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2021: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000) Fiscal Year 2020: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Keywords	融液成長 / 結晶成長 / 一方向凝固 / 混晶半導体 / その場観察
Outline of Research at the Start	本研究の目的は、融液成長過程における混晶材料の多結晶化の抑制に適した種結晶の選択法を構築することである。この目的を達成するために、「結晶/融液の固液界面で最も面積を広げやすい面方位（優先占有面）」という考えを導入する。融液成長時の固液界面のその場観察により優先占有面の形成に及ぼす冷却速度と組成依存性を明らかにし、優先占有面を種結晶に用いることで混晶材料の多結晶化が抑制できることを実験的に確かめる。