次世代単分子メモリデバイスの開発

• Project/Area Number: 20K15367
• Research Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related
• Research Institution: Hiroshima University
• Principal Investigator: 藤林 将 広島大学, 先進理工系科学研究科(理), 研究員 (30846952)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2022-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2020)
• Budget Amount: ¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000); Fiscal Year 2021: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000); Fiscal Year 2020: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
• Keywords: 単分子 / メモリ

Outline of Research at the Start

当該研究では、単一分子で強誘電体の様に振る舞う「単分子誘電体」を実装したメモリの微細化および集積化を達成する。
近年、我々は電場によって分子内のイオン移動を誘起することで恰も強誘電体の様な振る舞いを示す「単分子誘電体」の開発に成功した。この単分子誘電体は1つの分子で1bitの情報を格納できるため、従来の不揮発性メモリよりも遥かに高い記録密度を実現できる。そこで当該研究では、「単分子誘電体」メモリの実用化を見据え、メモリ素子の微細化と集積化に研究段階を分け、目標を達成する。