| Project/Area Number |
21246019
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Materials/Mechanics of materials
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| Research Institution | Hirosaki University |
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Principal Investigator |
FURUYA Yasubumi 弘前大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (20133051)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
KIMURA Hisamichi 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (00161571)
MURO Hideo 千葉工業大学, 工学部, 教授 (00438912)
OKAZAKI Teiko 弘前大学, 大学院・理工学研究科, 研究員 (10003328)
MINETA Takashi 山形大学, 理工学研究科, 教授 (50374814)
MIYANAGA Takafumi 弘前大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (70209922)
KISHI Yoichi 金沢工業大学, 工学部, 教授 (70265370)
KUBOTA Takeshi 弘前大学, 北日本新エネルギー研究所, 准教授 (70400405)
IIJIMA Takashi 独立法人産業技術研究所, 水素材料先端科学センター, 主任研究員 (90356402)
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| Project Period (FY) |
2009 – 2012
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2012)
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| Budget Amount *help |
¥45,630,000 (Direct Cost: ¥35,100,000、Indirect Cost: ¥10,530,000)
Fiscal Year 2012: ¥5,980,000 (Direct Cost: ¥4,600,000、Indirect Cost: ¥1,380,000)
Fiscal Year 2011: ¥7,540,000 (Direct Cost: ¥5,800,000、Indirect Cost: ¥1,740,000)
Fiscal Year 2010: ¥14,560,000 (Direct Cost: ¥11,200,000、Indirect Cost: ¥3,360,000)
Fiscal Year 2009: ¥17,550,000 (Direct Cost: ¥13,500,000、Indirect Cost: ¥4,050,000)
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| Keywords | マルチフェッロイク材料 / 磁気・電気効果 / 磁気センサ / マイクロ加工プロセス / ME効果 / マルチフェロイイク材料 / MEMS / カンチレバー / ブロードバンドAC磁場 / マルチフェロイックス材料 / 磁歪合金 / PZT / マイクロ磁気センサ / 磁気センサー / マルチフェロイクス材料 / 複合機能化 / ナノテク材料 / 電気・磁気効果 |
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| Research Abstract |
Multiplication effect of ferromagnetic/ferroelectric composite for application of multi-ferroic magnetic sensor with high sensitivity was investigated and a micro device was fabricated. Magnetic sensor designed by magnetostrictive FeSiB(50 μm) film /PZT(C-3)/ FeSiB(50μm) three layers outputted high voltage at a resonance frequency, 74 kHz. While, the sensor exhibits same sensitivity in AC frequency range of 0.001Hz～100Hz and can analyzes low magnetic field of 0.001 Oe in a range of 0.1Hz～100Hz. Micro cantilever sensor of FePd film/Si(10 μm) by MEMS fabrication process exhibited sensibility of 0.15-0.6μm/Oe in low magnetic field under 30 Oe.
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