Study of high-κ/strained-Ge channel and high-κ/strained-Si channel using X-ray Photoelectron Spectroscopy
Project/Area Number |
21560035
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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Research Institution | Tokyo City University |
Principal Investigator |
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Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
SAWANO Kentarou 東京都市大学, 工学部, 講師 (90409376)
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Project Period (FY) |
2009 – 2011
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2011)
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Budget Amount *help |
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2011: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2010: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2009: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
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Keywords | 歪チャネル / 硬X線光電子分光法 / 高誘電率膜ゲート絶縁膜 / 高移動度チャネル / Ge / 界面構造 / 表面・界面物性 / 歪Geチャネル / 角度分解X線光電子分光法 / 高誘電率絶縁膜/半導体界面 / 積層構造 / 深さ方向元素分布 / 高誘電率絶縁膜 / 半導体界面 |
Research Abstract |
We have investigated the influence of Si-cap layer and the post deposition annealing(PDA) on compositional depth profiles and chemical structures of HfO_2/Si-cap/strained Ge/SiGe/Si interfaces by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy. Analyses of Ge 2p, Si 1s and Hf 3d spectra show that strained-Ge layer is oxidized during the deposition of HfO_2 in the case of an 1-nm-thick Si cap layer, while the Ge layer is not oxidized in the case of an 3 and 5-nm-thick Si cap layer. In other words, the oxidation of Ge is prevented by the existence of bulk-Si.
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Report
(4 results)
Research Products
(52 results)
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[Journal Article] Capacitance-Voltage Characterization of La_2O_3 Metal-Oxide-Semiconductor Structures on In_<0.53>Ga_<0.47> As Substrate with Different Surface Treatment Methods2011
Author(s)
Dariush Zade, Takashi Kanda, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Nohira, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai
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Journal Title
Japanese Journal of Applied Physics
Volume: Vol.50
Issue: 10S
Pages: 10PD03-10PD03
DOI
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Author(s)
宮田陽平, 金原潤, 秋田洸平, 筒井一生, 野平博司, 泉雄大, 室隆桂之, 木下豊彦, 角嶋邦之, アヘメト パールハット, 服部健雄, 岩井洋
Organizer
第59回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
早稲田大学(東京都)
Year and Date
2012-03-18
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Organizer
第59回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
早稲田大学(東京都)
Year and Date
2012-03-18
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Organizer
第59回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
早稲田大学(東京都)
Year and Date
2012-03-17
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東レ総合研修センター(静岡県)
Year and Date
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2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
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金原潤, 宮田陽平, 秋田洸平, 筒井一生, 野平博司, 室隆桂之, 木下豊彦, アヘメト パールハット, 角嶋邦之, 服部健雄, 岩井洋
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2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
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山形大学(山形県)
Year and Date
2011-09-01
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Organizer
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Place of Presentation
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Year and Date
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東京工業大学(東京都)
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2011-01-22
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