Project/Area Number |
22H00210
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
岩崎 孝之 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80454031)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
谷口 尚 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 拠点長 (80354413)
宮本 良之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 上級主任研究員 (70500784)
牧野 俊晴 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (20360258)
岩本 敏 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (40359667)
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Project Period (FY) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2022)
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Budget Amount *help |
¥43,030,000 (Direct Cost: ¥33,100,000、Indirect Cost: ¥9,930,000)
Fiscal Year 2022: ¥20,800,000 (Direct Cost: ¥16,000,000、Indirect Cost: ¥4,800,000)
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Keywords | 量子光源 / ダイヤモンド / IV族-空孔中心 / 電荷制御 |
Outline of Research at the Start |
安全な通信を可能とする量子ネットワークの基礎となる優れた固体量子光源の開発には、光・スピン特性の制御技術の高度化が必要であるが、そのためには量子光源系の電荷状態遷移のメカニズムの理解および制御方法の開発が重要となる。本研究課題では、量子ネットワーク応用へ有力なIV族元素を用いたダイヤモンド量子光源であるスズ-空孔(SnV)および鉛-空孔(PbV)中心の電荷制御技術に関する研究を推進する。SnV, PbV中心の電荷制御に関する研究を光による電荷遷移ダイナミクスの制御、高品質化技術、半導体デバイスを用いた手法から実験および理論の協力体制で推進する。
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