Project/Area Number |
22K14477
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Research Category |
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Review Section |
Basic Section 26020:Inorganic materials and properties-related
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Research Institution | Ube National College of Technology (2023) Hiroshima University (2022) |
Principal Investigator |
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Project Period (FY) |
2022-04-01 – 2024-03-31
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2023: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2022: ¥3,770,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥870,000)
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Keywords | 不揮発性メモリ / 強誘電体 / 単分子 / トランジスタ / ポリオキソメタレート / 誘電体 |
Outline of Research at the Start |
近年、我々の研究室では、単分子で恰も強誘電体の様に振舞う分子「単分子誘電体」を報告している。「単分子誘電体」は、分子一つ一つに1ビットの情報を格納することができる為、超高密度メモリの開発が期待される。本研究では、「単分子誘電体」メモリの実用化を目指し、特性評価用デバイスの作製、及び、特性評価を実施する。
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Outline of Final Research Achievements |
In our works, the development of memory devices based on Single-Molecule Electret (SME) was carried out. SME behave like a ferroelectrics within a single molecule by utilising ion transfer mechanisms. Since each molecule of SME can work as a non-volatile memory, thus, the development of ultra-high density non-volatile memory is expected. In this study, the lateral-type transistor was employed to accelerate the evaluation of memory properties of the SME. The SME film was coated by cast procedure and the memory properties was evaluated. Our results revealed that the SME can be driven as a non-volatile memory.
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Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
IoTが加速する現代社会において、高密度不揮発性メモリの需要が高まっている。高密度不揮発性メモリはビッグデータを格納することに留まらず、不揮発性による消費電力の削減が可能である。しかしながら、これらの条件を満たすメモリ材料は限られており、新規材料の台頭が求められている。本研究では、上記の条件を満たす材料として注目されている「単分子誘電体」を用いたメモリの開発に着手した。研究期間を通して「単分子誘電体」がメモリとして駆動することを見出しており、高密度不揮発性メモリの実用化に向け重要な成果を得た。
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