| Project/Area Number |
24H00046
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Broad Section D
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
渡部 平司 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90379115)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
染谷 満 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (60783644)
小林 拓真 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (20827711)
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| Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥204,360,000 (Direct Cost: ¥157,200,000、Indirect Cost: ¥47,160,000)
Fiscal Year 2024: ¥55,120,000 (Direct Cost: ¥42,400,000、Indirect Cost: ¥12,720,000)
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| Keywords | 炭化珪素 / パワーデバイス / MOS構造 / 界面科学 |
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| Outline of Research at the Start |
炭化珪素(SiC)は優れた物性を有し、パワーデバイス用途の半導体として期待されている。近年、新幹線や電気自動車へのSiCパワーデバイスの導入がはじまったが、電界効果トランジスタ（SiC MOSFET）の性能は期待値には程遠く、材料の優位性を生かし切れていない。これはMOSFETの心臓部となる絶縁膜/SiC界面に原因があり、界面欠陥の理解とMOS構造の高品質化が望まれている。本研究では、理論計算と界面物性評価に加え、MOSFETの動作解析を通じて、SiC半導体ヘテロ界面の特異性を解き明かすと共に、その高品質化技術の構築を通じてSiCパワーデバイスの省エネ性能の向上を目指す。
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