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Deep Insights into Heterointerface Engineering in Silicon Carbide based Devices

Research Project

Project/Area Number 24H00046
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

Allocation TypeSingle-year Grants
Review Section Broad Section D
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

渡部 平司  大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90379115)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 染谷 満  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (60783644)
小林 拓真  大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (20827711)
Project Period (FY) 2024-04-01 – 2029-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help
¥204,360,000 (Direct Cost: ¥157,200,000、Indirect Cost: ¥47,160,000)
Fiscal Year 2025: ¥49,010,000 (Direct Cost: ¥37,700,000、Indirect Cost: ¥11,310,000)
Fiscal Year 2024: ¥55,120,000 (Direct Cost: ¥42,400,000、Indirect Cost: ¥12,720,000)
Keywords炭化珪素 / パワーデバイス / MOS構造 / 界面科学
Outline of Research at the Start

炭化珪素(SiC)は優れた物性を有し、パワーデバイス用途の半導体として期待されている。近年、新幹線や電気自動車へのSiCパワーデバイスの導入がはじまったが、電界効果トランジスタ(SiC MOSFET)の性能は期待値には程遠く、材料の優位性を生かし切れていない。これはMOSFETの心臓部となる絶縁膜/SiC界面に原因があり、界面欠陥の理解とMOS構造の高品質化が望まれている。本研究では、理論計算と界面物性評価に加え、MOSFETの動作解析を通じて、SiC半導体ヘテロ界面の特異性を解き明かすと共に、その高品質化技術の構築を通じてSiCパワーデバイスの省エネ性能の向上を目指す。

Report

(2 results)
  • 2024 Abstract ( PDF )   Comments on the Screening Results

URL: 

Published: 2024-04-05   Modified: 2025-04-17  

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