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2016 Fiscal Year Annual Research Report

Interdisciplinary research on quantum imaging opened with 3D semiconductor detector

Administrative Group

Project AreaInterdisciplinary research on quantum imaging opened with 3D semiconductor detector
Project/Area Number 25109001
Research InstitutionHigh Energy Accelerator Research Organization

Principal Investigator

新井 康夫  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 教授 (90167990)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 三好 敏喜  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (20470015)
幅 淳二  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 教授 (60180923)
Project Period (FY) 2013-06-28 – 2018-03-31
Keywordsイメージング / 先端機能デバイス / 放射線 / 素粒子実験 / 粒子線 / X線 / 3次元半導体
Outline of Annual Research Achievements

平成28年度は、6月に北海道大学で、11月にSPring-8において国内研究会を開催した。それぞれ約60名の参加があり、各研究班からの研究報告の他、招待講演、ポスターセッション、施設見学も行い盛況だった。領域研究も後半に入り、残りの期間でやるべき事、また終了後の研究体制等に関して夜遅くまで議論を行なった。
この他、総括班会議を、研究会の場に加えて10月に京都大、3月に東京で行い、研究の進捗状況、予算執行状況の確認、今後の活動計画等に関して打ち合わせを行った。
8月には、KEKにおいて第3回目のSOI設計講習会を開催した。今回は設計経験者を対象としたため、参加者は約10名に絞られたが、内容は濃いものとなった。
この他、継続的に本新学術領域のWebページをアップデートすると同時に、SOI技術に関する英語本"Radiation Imaging Detectors Using Soi Technology"の出版も行った。上記活動を支える為、事務処理を行う人員を雇用し、研究活動に対するサポートを行った。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

領域主催の国内研究会を開催し多くの参加者を得る事ができている。また中間評価においても期待通りの進展が認められる
との評価を頂く事ができ、研究会や講習会への学生や若手研究者の参加も増えている。
検出器制作を担うSOIプロセスも順調に行われており、各研究班から性能向上の報告も多く受けている。
領域研究への採択を機会に、各種研究会への招待講演の依頼や、企業からの問い合わせも多く、各方面からの期待を感じている。

Strategy for Future Research Activity

平成29年度は本領域研究の最終年度となることから、これまでの研究成果のまとめを行なっていく。
この為、6月に宮崎大で予定されている国内研究会のほか、これまでの研究の集大成として12月に沖縄で2回目の国際会議を開催する。
さらに、各研究班の研究成果を取りまとめた英語本を再来年度にかけて出版する計画で、これに向けた準備も行う。

  • Research Products

    (15 results)

All 2017 2016 2013 Other

All Int'l Joint Research (2 results) Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results,  Open Access: 1 results,  Acknowledgement Compliant: 4 results) Presentation (2 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Invited: 1 results) Book (2 results) Remarks (2 results) Patent(Industrial Property Rights) (3 results) (of which Overseas: 2 results)

  • [Int'l Joint Research] Institute of High Energy Physics(中国)

    • Country Name
      CHINA
    • Counterpart Institution
      Institute of High Energy Physics
  • [Int'l Joint Research] AGH University, Krakow/Institute of Nuclear Physics, Krakow(ポーランド)

    • Country Name
      POLAND
    • Counterpart Institution
      AGH University, Krakow/Institute of Nuclear Physics, Krakow
  • [Journal Article] SOI Monolithic Pixel Detector Technology2017

    • Author(s)
      Yasuo Arai
    • Journal Title

      Proceedings of Science

      Volume: - Pages: -

    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Tradeoff Between Low-Power Operation and Radiation Hardness of Fully Depleted SOI pMOSFET by Changing LDD Conditions2016

    • Author(s)
      Ikuo Kurachi, Kazuo Kobayashi, Marie Mochizuki, Masao Okihara, Hiroki Kasai,Takaki Hatsui, Kazuhiko Hara, Toshinobu Miyoshi, and Yasuo Arai
    • Journal Title

      IEEE Transactions on Electron Devices

      Volume: 63 Pages: 2293-2298

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Development of an X-ray Imaging system with SOI Pixel Detectors2016

    • Author(s)
      Ryutaro NISHIMURA, Yasuo ARAI, Toshinobu MIYOSHI, Keiichi HIRANO, Shunji KISHIMOTO, Ryo HASHIMOTO
    • Journal Title

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A

      Volume: 831 Pages: 49-54

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.036

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Advanced monolithic pixel sensors using SOI technology2016

    • Author(s)
      Toshinobu Miyoshi, Yasuo Arai, Mari Asano, Yowichi Fujita, Ryutaro Hamasaki, Kazuhiko Hara, Shunsuke Honda, Yoichi Ikegami, Ikuo Kurachi, Shingo Mitsui, Ryutaro Nishimura, Kazuya Tauchi, Naoshi Tobita, Toru Tsuboyama, Miho Yamada
    • Journal Title

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A

      Volume: 824 Pages: 439-442

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2015.11.109

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] SOI ピクセルディテクタ用新型DAQシステムの開発現況について2017

    • Author(s)
      西村 龍太郎, 新井 康夫, 三好 敏喜, 平野 馨一, 岸本 俊二, 橋本 亮
    • Organizer
      日本物理学会
    • Place of Presentation
      大阪大学豊中キャンパス(大阪府・豊中市)
    • Year and Date
      2017-03-17
  • [Presentation] SOI Monolithic Pixel Detector Technology2016

    • Author(s)
      Yasuo Arai
    • Organizer
      International workshop on vertex detectors
    • Place of Presentation
      La Biodola, Isola d’Elba, ITALY
    • Year and Date
      2016-09-26 – 2016-09-30
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Book] Radiation Imaging Detectors Using Soi Technology2017

    • Author(s)
      Y. Arai and I. Kurachi
    • Total Pages
      71
    • Publisher
      Morgan & Claypool Publisher
  • [Book] Analog Electronics for Radiation Detection (Devices,Circuits, and Systems)2016

    • Author(s)
      Y. Arai, Renato Turchetta (Editor)
    • Total Pages
      306
    • Publisher
      CRC Press
  • [Remarks] 3次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開

    • URL

      http://soipix.jp/index.html

  • [Remarks] SOI Pixel R&D

    • URL

      http://rd.kek.jp/project/soi/

  • [Patent(Industrial Property Rights)] RADIATION-DAMAGE-COMPENSATION-CIRCUIT AND SOI-MOSFET2016

    • Inventor(s)
      倉知郁生、新井康夫、山田美帆
    • Industrial Property Rights Holder
      倉知郁生、新井康夫、山田美帆
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      PCT/JP2016/079797
    • Filing Date
      2016-10-06
    • Overseas
  • [Patent(Industrial Property Rights)] Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device2016

    • Inventor(s)
      新井康夫、葛西大樹、沖原将生
    • Industrial Property Rights Holder
      新井康夫、葛西大樹、沖原将生
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      US2016/0190203 A1
    • Filing Date
      2016-06-30
    • Overseas
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体装置およびその製造方法2013

    • Inventor(s)
      葛西大樹、新井康夫
    • Industrial Property Rights Holder
      葛西大樹、新井康夫
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特許番号 第6108451
    • Filing Date
      2013-04-05
    • Acquisition Date
      2017-03-17

URL: 

Published: 2018-01-16  

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